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BSC050N04LSGATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 BSC050N04LS G系列, Vds=40 V, 85 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: REB-TMOSP9269
供应商: 海外现货
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC050N04LSGATMA1

BSC050N04LSGATMA1概述

    BSC050N04LS G OptiMOS™3 Power Transistor

    产品简介


    BSC050N04LS G 是一款来自Infineon Technologies的OptiMOS™3系列电源晶体管,特别适用于开关模式电源(SMPS)和直流/直流转换器。这款N沟道逻辑电平MOSFET具备出色的开关速度和低导通电阻,能够在多种电力电子应用中提供高效能的表现。

    技术参数


    以下是BSC050N04LS G的主要技术规格:
    - 连续漏极电流(ID
    - VGS=10 V, TC=25 °C:85 A
    - VGS=10 V, TC=100 °C:54 A
    - VGS=4.5 V, TC=25 °C:71 A
    - VGS=4.5 V, TC=100 °C:45 A
    - VGS=10 V, TA=25 °C, RthJA=50 K/W:18 A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):TC=25 °C:340 A
    - 雪崩击穿电流(IAS):TC=25 °C:50 A
    - 雪崩能量(EAS):ID=50 A, RGS=25 W:35 mJ
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 最大功率耗散(Ptot):TC=25 °C:57 W;TA=25 °C, RthJA=50 K/W:2.5 W
    - 工作温度范围(Tj, Tstg):-55 °C ... 150 °C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):VGS=0 V, ID=1 mA:40 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):VDS=40 V, VGS=0 V, Tj=25 °C:0.1 μA ~ 1 μA
    - 栅源漏电流(IGSS):VGS=20 V, VDS=0 V:10 nA ~ 100 nA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):VGS=4.5 V, ID=50 A:5.8 mΩ ~ 7.2 mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):2800 pF ~ 3700 pF
    - 输出电容(Coss):630 pF ~ 840 pF
    - 反向传输电容(Crss):33 pF
    - 开启延迟时间(td(on)):6.4 ns
    - 上升时间(tr):3.8 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):26 ns
    - 下降时间(tf):4.2 ns

    产品特点和优势


    BSC050N04LS G MOSFET具有以下几个显著特点:
    - 出色的开关性能:具备低栅源电荷(Qg),能够实现快速的开关动作。
    - 非常低的导通电阻(RDS(on)):典型值为5.8 mΩ ~ 7.2 mΩ,能够在高电流条件下保持低损耗。
    - 优越的热阻特性:具备良好的散热能力,能够在高温环境下稳定工作。
    - 经过严格测试:100%雪崩测试确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    BSC050N04LS G广泛应用于各种电力电子设备,如开关电源、逆变器和电机驱动等。在实际应用中,需要注意以下几点:
    - 在高温环境下工作时,需考虑散热设计,以确保器件不会因过热而失效。
    - 使用时应根据具体的应用需求选择合适的驱动电路,以确保快速可靠的开关性能。

    兼容性和支持


    BSC050N04LS G与市场上大多数标准PCB兼容,可以轻松集成到现有的设计中。Infineon Technologies提供详尽的技术支持,包括产品数据手册、设计指南和技术文档,帮助客户进行顺利的设计和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下运行不稳定
    - 解决方法:增加散热措施,例如使用散热片或散热器,确保工作温度不超过最大额定值。
    2. 问题:开关频率较高时,器件损耗较大
    - 解决方法:优化驱动电路,减小栅源电荷(Qg),提高开关效率。

    总结和推荐


    BSC050N04LS G是一款高性能的N沟道逻辑电平MOSFET,具备优异的开关特性和低导通电阻,在多种电力电子应用中表现出色。其在高温环境下的可靠性和优化的散热设计使其成为开关电源和直流/直流转换器的理想选择。综上所述,强烈推荐使用BSC050N04LS G来提升电力电子系统的整体性能。

BSC050N04LSGATMA1参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5W(Ta),57W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.7nF@20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 50A,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 27µA
Id-连续漏极电流 18A,85A
栅极电荷 47nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC050N04LSGATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC050N04LSGATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1数据手册

BSC050N04LSGATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.3081 ¥ 2.7019
10000+ $ 0.3 ¥ 2.6314
15000+ $ 0.2947 ¥ 2.5844
20000+ $ 0.2662 ¥ 2.3346
30000+ $ 0.2521 ¥ 2.2107
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