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IRF7470PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 12V 2V@ 250µA 44nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 13mΩ@ 10A,10V 10A 3.43nF@20V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: CY-IRF7470PBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7470PBF

IRF7470PBF概述

    电子元器件产品技术手册:IRF7470PbF

    产品简介


    IRF7470PbF 是一款由国际整流器公司(International Rectifier)设计并制造的高效能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。作为 HEXFET 系列的一部分,它主要用于高效率直流到直流转换器中的同步整流。IRF7470PbF 的主要功能包括极低的门极阻抗、非常低的导通电阻(RDS(on)),以及在 4.5V VGS 下表现出色。这些特点使其非常适合用于高频开关电源和其他要求高性能功率控制的应用场合。

    技术参数


    - 电压规格
    - VDSS(漏源电压):40V
    - VGS(栅源电压):±12V
    - 电流规格
    - 连续漏电流 ID(TA = 25°C):10A
    - 连续漏电流 ID(TA = 70°C):8.5A
    - 脉冲漏电流 IDM:85A
    - 电阻规格
    - 导通电阻 RDS(on)(VGS = 4.5V, ID = 8.0A):13mΩ
    - 功率规格
    - 最大功率耗散 PD(TA = 25°C):2.5W
    - 最大功率耗散 PD(TA = 70°C):1.6W
    - 热阻抗
    - 界面到引脚的热阻 RθJL:20°C/W
    - 界面到环境的热阻 RθJA:50°C/W
    - 工作温度范围
    - 结温和存储温度范围 TJ, TSTG:-55 至 +150°C

    产品特点和优势


    IRF7470PbF 具有以下几个显著特点:
    - 极低的门极阻抗:这使得驱动更简单且功率损耗更低。
    - 非常低的导通电阻:特别是 VGS = 4.5V 下的 13mΩ 电阻,确保了高效率操作。
    - 全面表征的雪崩电压和电流:确保可靠性高,可用于各种极端条件下的应用。
    - 适合高频开关应用:得益于低电容和高速开关性能。

    应用案例和使用建议


    IRF7470PbF 常见的应用场景包括:
    - 高频直流到直流转换器:由于具备高频率开关能力和低功耗特性,非常适合用作同步整流器。
    - 电源模块:可以提高整体效率和降低热管理难度。
    - 逆变器和电机驱动器:在需要高精度和快速响应的系统中表现优秀。
    使用建议:
    - 在使用 IRF7470PbF 时,要特别注意散热问题,尤其是在高电流条件下,因为即使在 TA = 70°C 下连续漏电流也会降为 8.5A。
    - 驱动电路应具有适当的门极电阻以防止振铃现象,并且选择合适的工作频率以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF7470PbF 可以轻松集成到现有的直流到直流转换器设计中,并且可以直接替代类似规格的产品,例如 IRF7101 等。
    - 技术支持:国际整流器公司提供了详尽的技术文档和支持服务,可通过其官网获取更多资料和技术帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断 IRF7470PbF 是否正常工作?
    答:可以通过测量导通电阻(RDS(on))来验证,确保其值在规定范围内。如果发现 RDS(on) 增加,则可能需要检查散热情况或重新评估工作条件。

    2. 问:IRF7470PbF 的最大脉冲漏电流是多少?
    答:最大脉冲漏电流 IDM 为 85A,但使用时需要注意不超过 400µs 的脉冲宽度以及 2% 的占空比限制。

    总结和推荐


    IRF7470PbF 是一款设计精良、性能卓越的 MOSFET,适用于多种高频和高效率电力转换应用。其出色的电气特性和可靠的工作特性使它在市场上具有强大的竞争力。鉴于上述优点,我们强烈推荐 IRF7470PbF 用于需要高效率和高可靠性的现代电力转换系统中。

IRF7470PBF参数

参数
配置 独立式quaddraintriplesource
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10A,10V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
栅极电荷 44nC@ 4.5 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.43nF@20V
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF7470PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7470PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7470PBF IRF7470PBF数据手册

IRF7470PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3102 ¥ 2.6698
500+ $ 0.3073 ¥ 2.6456
1000+ $ 0.2987 ¥ 2.5242
5000+ $ 0.2987 ¥ 2.5242
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