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IPU50R2K0CEBKMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 22W(Tc) 20V 3.5V@ 50µA 6nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2Ω@ 600mA,13V 2.4A 124pF@100V TO-251-3 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: CY-IPU50R2K0CEBKMA1
供应商:
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPU50R2K0CEBKMA1

IPU50R2K0CEBKMA1概述

    500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPD50R2K0CE, IPU50R2K0CE

    1. 产品简介


    IPD50R2K0CE 和 IPU50R2K0CE 是由 Infineon Technologies 推出的一款高性能 500V CoolMOS™ CE 功率晶体管。CoolMOS™ 技术是一种根据超级结(SJ)原理设计的高压功率 MOSFET 技术,该技术由 Infineon 首创并被广泛应用于高电压和高效能应用场合。IPD50R2K0CE 和 IPU50R2K0CE 旨在满足成本敏感型市场的需求,同时仍保持高效能标准。这些晶体管适合用于消费电子和照明市场的多个应用场景。

    2. 技术参数


    - 电气参数
    - 最大漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 550V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 最大值 2Ω
    - 持续漏极电流 \( ID \): 3.6A
    - 典型栅极电荷 \( Qg \): 6nC
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \): 6.1A
    - 反向二极管反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 0.35μC
    - 最大安全工作区电压 \( V{DS} \): 500V
    - 热特性
    - 热阻 \( R{thJC} \): 3.75°C/W
    - 热阻 \( R{thJA} \): 35°C/W(最小封装尺寸)
    - 6cm² 散热面积下的热阻 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 其他参数
    - 极限温度范围:-55°C 到 150°C
    - 最大功率损耗:33W (TO-252, TO-251)

    3. 产品特点和优势


    IPD50R2K0CE 和 IPU50R2K0CE 的主要优势包括:
    - 超低损耗: 极低的 \( R{DS(on)} \cdot Qg \) 值和 \( E{oss} \),确保了高效率运行。
    - 极高抗冲击能力: 高重复频率雪崩能量和高dv/dt鲁棒性。
    - 易于驱动: 简化的电路设计,适合各种应用场景。
    - 环保材料: Pb-free 镀层,无卤素模压化合物,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管适用于多种电路配置,包括:
    - 功率因数校正(PFC)阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关阶段,例如计算机银箱、适配器、LCD 和 PDP 电视以及室内照明
    使用建议:
    - 在并联 MOSFET 时,通常建议使用铁氧体磁珠或单独的倒置柱来提高稳定性。
    - 在高频切换时,要注意散热管理以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 这些晶体管与标准电源和控制系统兼容。
    - 支持和维护: Infineon Technologies 提供相关的技术支持和设计工具(参见附录 A)。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确使用栅极电阻?
    - A: 使用合适的栅极电阻(约 7Ω)可以保证晶体管的稳定运行。如果栅极电荷过高,应考虑降低栅极电阻。

    - Q: 发现模块过热如何处理?
    - A: 确保良好的散热管理。增加散热片面积或使用风扇冷却以减少热阻。

    - Q: 在硬开关应用中出现振荡现象怎么办?
    - A: 使用适当的去耦电容和滤波电路来抑制噪声,同时可以尝试调整驱动电阻的值以减小寄生效应。

    7. 总结和推荐


    IPD50R2K0CE 和 IPU50R2K0CE 是高性能、低成本的CoolMOS™ CE 功率晶体管,具有显著的优势如超低损耗和高抗冲击能力。它们非常适合用于需要高效率和稳定性的消费电子和照明设备。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中采用这种晶体管。

IPU50R2K0CEBKMA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2.4A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 6nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 600mA,13V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 50µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 22W(Tc)
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 124pF@100V
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-251-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IPU50R2K0CEBKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPU50R2K0CEBKMA1数据手册

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IPU50R2K0CEBKMA1封装设计

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