处理中...

首页  >  产品百科  >  IPZ40N04S55R4ATMA1

IPZ40N04S55R4ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPZ系列, Vds=40 V, 40 A, PQFN 3 x 3封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 3227655
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPZ40N04S55R4ATMA1

IPZ40N04S55R4ATMA1概述

    # IPZ40N04S5-5R4 OptiMOS™-5 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPZ40N04S5-5R4 是一种OptiMOS™-5系列的功率场效应晶体管(MOSFET),专为汽车应用设计。它属于增强模式的N沟道MOSFET,能够在极端条件下提供出色的性能。由于其符合AEC-Q101标准,且具备良好的热稳定性和高可靠性,使得它在各种复杂环境中都能稳定运行。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | - | 40 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse| TC=25°C | - | - | 160 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | ID=20A | - | 53 | - | mJ |
    | 雪崩电流 | IAS | - | - | - | 40 | A |
    | 栅源电压 | VGS | - | ±20 | - | V |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C | - | 48 | - | W |
    | 工作及存储温度 | Tj, Tstg | - | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    - 增强模式N沟道MOSFET:适用于需要快速开关的电路。
    - AEC-Q101认证:确保了产品在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 无卤素环保材料:符合RoHS标准,环保且对人类健康无害。
    - 雪崩测试:100%雪崩测试验证了其在高压环境下的可靠性能。
    - 高耐温性:工作温度范围宽至-55°C到+175°C,适用于极端温度环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPZ40N04S5-5R4 可广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统、电机驱动、电源转换等领域。例如,在电池管理系统中,它能有效地控制电池充放电过程中的电流和电压,保证系统的安全稳定运行。
    使用建议
    - 确保良好的散热措施以避免因过热导致的性能下降。
    - 在高湿度环境下使用时,需注意PCB的防水防尘处理。
    - 设计时应考虑芯片与散热片之间的良好接触,以便更好地散热。

    兼容性和支持


    - 与多种PCB材料兼容,特别是在FR4基板上表现优异。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括电气特性和机械参数,有助于用户进行准确的设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择正确的散热方案?
    - 解决方案:依据产品的最大功耗和工作环境来确定所需的散热方案。使用铜板或其他高效散热材料,并确保良好的气流,如采用风扇强制通风。
    2. 问题:工作温度超过限定范围会对产品造成什么影响?
    - 解决方案:长时间超出工作温度范围可能会导致产品性能下降甚至损坏。应严格控制工作环境温度,必要时采取降温措施。

    总结和推荐


    IPZ40N04S5-5R4是一款具有卓越性能和可靠性的功率MOSFET。其在高温、高湿度及恶劣环境中的稳定表现使其成为汽车电子及其他严苛应用的理想选择。总体而言,强烈推荐使用这款产品,尤其适合于需要高性能、高可靠性的场合。

IPZ40N04S55R4ATMA1参数

参数
栅极电荷 23nC@ 10 V
最大功率耗散 48W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.4V@ 17µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5.4mΩ@ 20A,10V
Id-连续漏极电流 40A
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPZ40N04S55R4ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPZ40N04S55R4ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1数据手册

IPZ40N04S55R4ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.4905
10+ ¥ 2.6443
100+ ¥ 2.3693
500+ ¥ 2.3693
1000+ ¥ 2.2847
5000+ ¥ 2.2847
库存: 14611
起订量: 19 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 26.44
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0