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IRGS6B60KDTRLP

产品分类: IGBT单管
产品描述: 90W 1.8V 独立式 600V 13A D2PAK 贴片安装 10.31mm*9.45mm*4.57mm
供应商型号: IRGS6B60KDTRLPDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IRGS6B60KDTRLP

IRGS6B60KDTRLP概述

    绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术手册

    产品简介


    绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种高效的功率半导体器件,广泛应用于电力电子系统中。IGBT结合了金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和双极型晶体管(BJT)的低导通电阻。本产品特别设计用于电机控制、电源转换器、焊接设备等应用领域,具有出色的开关特性和可靠的操作性能。

    技术参数


    本IGBT具有以下技术规格和性能参数:
    - 最大参数
    - 集电极-发射极电压 \( V{CES} \): 600V
    - 连续集电极电流(\( TC = 25^\circ \text{C} \)): 18A
    - 连续集电极电流(\( TC = 100^\circ \text{C} \)): 10A
    - 脉冲集电极电流:26A
    - 二极管连续正向电流(\( TC = 25^\circ \text{C} \)): 18A
    - 二极管连续正向电流(\( TC = 100^\circ \text{C} \)): 10A
    - 最大正向电流:26A
    - 门极-发射极电压 \( V{GE} \): ±20V
    - 最大功耗(\( TC = 25^\circ \text{C} \)): 90W
    - 最大功耗(\( TC = 100^\circ \text{C} \)): 36W
    - 工作结温和存储温度范围:\(-55^\circ \text{C}\) 至 \(150^\circ \text{C}\)
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{BR CES} \): 600V
    - 击穿电压温度系数 \( \Delta V{BR CES} / \Delta TJ \): 0.3 V/°C
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(on)} \): 1.5V ~ 2.2V (IC = 5.0A, VGE = 15V)
    - 门极阈值电压 \( V{GE(th)} \): 3.5V ~ 5.5V (VCE = VGE, IC = 250μA)
    - 门极阈值电压温度系数 \( \Delta V{GE(th)} / \Delta TJ \): -10 mV/°C
    - 正向转导率 \( gf e \): 3.0 S (VCE = 50V, IC = 5.0A, PW=80μs)
    - 零门极电压集电极电流 \( I{CES} \): 1.0 μA ~ 150 μA (VGE = 0V, VCE = 600V)

    产品特点和优势


    1. 低\( V{CE(on)} \):采用非穿通IGBT技术,降低导通电压,提高效率。
    2. 低二极管\( VF \):软恢复特性显著降低二极管反向恢复损耗。
    3. 10μs 短路能力:确保在短路情况下的安全运行。
    4. 方形RBSOA:提供全方形的反向偏置安全操作区域,增强可靠性。
    5. 正\( V{CE(on)} \) 温度系数:确保在高温下稳定运行。
    6. 无铅设计:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:应用于工业自动化中的伺服驱动器和变频器,保证高效能和低损耗。
    - 电源转换器:适用于各种高频逆变器,提供优异的开关性能。
    - 焊接设备:具备快速响应能力和低热阻,适合高频焊接应用。
    使用建议:
    - 在应用中使用合适的散热装置,以保证IGBT的温度不超过规定的极限。
    - 注意在高速开关过程中减小寄生电感,避免尖峰电压损害器件。

    兼容性和支持


    该IGBT可与大多数标准电子设备兼容。厂商提供了详细的安装指南和技术支持服务,以确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:IGBT在过温情况下失效。
    - 解决方案:检查散热系统的有效性,并增加冷却措施。

    - 问题:开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案:检查电路布局和走线,减少寄生电感。

    总结和推荐


    该IGBT在电机控制、电源转换器和焊接设备等多个领域表现卓越。它具有低导通电压、良好的开关特性和优秀的温度稳定性。因此,强烈推荐使用该产品以满足高性能需求。

IRGS6B60KDTRLP参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.8V
配置 独立式
集电极电流 13A
最大功率耗散 90W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
长*宽*高 10.31mm*9.45mm*4.57mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRGS6B60KDTRLP厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRGS6B60KDTRLP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IRGS6B60KDTRLP IRGS6B60KDTRLP数据手册

IRGS6B60KDTRLP封装设计

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