处理中...

首页  >  产品百科  >  IMZ120R060M1H

IMZ120R060M1H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 7V~23V 1.06nF TO-247-4
供应商型号: 14M-IMZ120R060M1H
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IMZ120R060M1H

IMZ120R060M1H概述

    IMZ120R060M1H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IMZ120R060M1H 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET。这种半导体器件主要应用于太阳能逆变器、工业电源供应系统及基础设施充电站等领域。其核心优势在于其低损耗特性、易于驱动的设计,以及在高频率应用中的卓越表现。

    技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压:1200V
    - 连续漏极电流(@25°C TC):36A
    - 最大结温(Tvj,max):175°C
    - 最小热阻(Rth(j-c)):0.8 K/W
    - 封装:PG-TO247-4,包含4个引脚:漏极(Drain, Pin 1)、源极(Source, Pin 2)、栅极(Gate, Pin 4)、感应端(Sense, Pin 3)
    - 开关特性
    - 阈值电压(VGS(th)):4.5V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):1.9μA(@175°C)
    - 栅极电荷(QG):31nC
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):1060pF
    - 输出电容(Coss):58pF
    - 反向恢复电荷(Qrr):180nC(@25°C)

    产品特点和优势


    - 效率提升:由于超低的开关损耗,该器件能显著提高电路的整体效率。
    - 高频操作能力:低阈值电压和易驱动设计使其非常适合高频率应用。
    - 紧凑且可靠:更高的功率密度和更低的冷却需求减少了系统的复杂度和成本。

    应用案例和使用建议


    IMZ120R060M1H 主要应用于能源发电(如太阳能逆变器)、工业电源供应及基础设施充电系统。对于希望减少功耗、增加系统效率的开发者来说,选择此器件是明智之举。此外,在高温环境下使用时需注意散热管理,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    此器件适用于标准 TO247 封装的 PCB 设计,支持广泛的电源管理和转换应用。英飞凌提供了详尽的技术文档和应用指南,帮助客户优化其设计。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定正确的驱动电压?
    - A: 应遵循推荐的15至18V之间进行驱动电压选择,以确保最佳性能和可靠性。

    - Q:能否通过调整感测引脚实现更好的开关控制?
    - A: 是的,利用内置感测引脚可以更好地优化开关特性,但需要注意的是,感测引脚与源极引脚不可互换,否则可能导致设备故障。

    总结和推荐


    IMZ120R060M1H 凭借其出色的低损耗特性、高频操作能力和简易驱动设计,在多个关键应用领域表现出色。如果您正在寻找能够提高系统效率并简化设计的 MOSFET 解决方案,这款器件是一个理想的选择。

IMZ120R060M1H参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 7V~23V
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.06nF
通用封装 TO-247-4
应用等级 工业级
零件状态 在售

IMZ120R060M1H厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMZ120R060M1H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IMZ120R060M1H IMZ120R060M1H数据手册

IMZ120R060M1H封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 36.0696
10+ ¥ 32.3235
30+ ¥ 28.3816
100+ ¥ 27.5932
300+ ¥ 26.5369
1000+ ¥ 25.764
库存: 1195
起订量: 1 增量: 240
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 36.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336