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IRFU3704ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W(Tc) 20V 2.55V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 8.4mΩ@ 15A,10V 60A 1.19nF@10V IPAK,TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: IRFU3704ZPBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFU3704ZPBF

IRFU3704ZPBF概述

    文章标题:IRFR3704ZPbF和IRFU3704ZPbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFR3704ZPbF和IRFU3704ZPbF 是由International Rectifier(现为Infineon Technologies的一部分)生产的HEXFET®功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这些产品专为计算机处理器电源和电信、工业用高频同步降压转换器设计,具备低导通电阻(RDS(on))、超低栅极阻抗和完全表征的雪崩电压及电流等特性。此外,它们符合无铅标准,是高性能应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDS): 20V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 8.4mΩ (在VGS=10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 9.3nC
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID @ TC = 25°C): 60A (在VGS = 10V)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 240A
    - 最大功耗 (PD @TC = 25°C): 48W
    - 热阻 (RθJC): 3.1°C/W (接合到外壳)
    - 静态特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 20V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 2.1V(典型值)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 6.7mΩ(典型值,VGS=10V)

    3. 产品特点和优势


    - 非常低的RDS(on): 在4.5V VGS下,提供非常低的导通电阻,减少导通损耗。
    - 超低栅极阻抗: 减少栅极驱动损耗,提高效率。
    - 完全表征的雪崩电压和电流: 确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 适用范围广: 适用于计算机处理器电源和电信、工业用高频同步降压转换器。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高频同步降压转换器
    - 高频隔离式DC-DC转换器
    - 使用建议:
    - 在高频同步降压转换器中使用时,确保电路布局合理,以减少杂散电感的影响。
    - 在电信和工业应用中使用时,考虑温度对性能的影响,合理布置散热装置。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于大多数高频转换器设计。
    - 支持: 可通过International Rectifier官方网站获得应用笔记和支持资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 为什么我的MOSFET在高负载下表现不佳?
    - A: 检查RDS(on)值是否合适,确保在高负载下不会过热。
    - Q: 如何降低MOSFET的功耗?
    - A: 优化栅极驱动信号,减少开关损耗。确保散热系统能够有效散热。

    7. 总结和推荐


    IRFR3704ZPbF和IRFU3704ZPbF 是高性能、低损耗的MOSFET,非常适合需要高可靠性的高频转换器应用。凭借其低导通电阻、超低栅极阻抗和全面的雪崩特性,这些产品在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用这些MOSFET。对于设计师来说,详细了解产品的技术参数并合理规划电路布局是至关重要的。

IRFU3704ZPBF参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.55V@ 250µA
最大功率耗散 48W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@10V
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 IPAK,TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFU3704ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFU3704ZPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFU3704ZPBF IRFU3704ZPBF数据手册

IRFU3704ZPBF封装设计

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