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IRLR3715ZTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40W(Tc) 20V 2.55V@ 250µA 11nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 11mΩ@ 15A,10V 49A 810pF@10V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IRLR3715ZPBFTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR3715ZTRPBF

IRLR3715ZTRPBF概述


    产品简介


    IRLR3715ZPbF 和 IRLU3715ZPbF 产品介绍
    IRLR3715ZPbF 和 IRLU3715ZPbF 是来自 IRF(International Rectifier)公司的 HEXFET 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于高频同步降压转换器,用于计算机处理器电源管理,同时也适用于电信和工业领域的高频隔离式直流-直流转换器中。这些 MOSFET 具有超低栅极阻抗、完全表征的雪崩电压和电流等特性。

    技术参数


    以下是这些 MOSFET 的技术参数摘要:
    - 基本参数
    - VDS(漏源电压): 20V
    - RDS(on) 最大值: 11mΩ
    - Qg(总栅极电荷): 7.2nC (典型值), 11nC (最大值)
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压): 20V
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - 连续漏极电流(VGS @ 10V): 49A (25°C), 35A (100°C)
    - 脉冲漏极电流 IDM: 200A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C): 50W
    - 最大功率耗散(TC = 100°C): 35W
    - 热阻(RθJC,结至壳): 3.75°C/W
    - 热阻(RθJA,结至环境,PCB安装): 50°C/W
    - 热阻(RθJA,结至环境): 110°C/W
    - 静态特性
    - BVDSS(击穿电压): 20V
    - RDS(on)(导通电阻): 8.8mΩ (典型值),11mΩ (最大值)
    - VGS(th)(门限电压): 1.65V ~ 2.55V
    - IDSS(漏源漏电流): 1.0µA (最大值)
    - IGSS(门源正向漏电流): 100nA (最大值)
    - Qg(总栅极电荷): 7.2nC (典型值), 11nC (最大值)

    产品特点和优势


    - 超低栅极阻抗:降低了驱动功耗,提高了整体效率。
    - 完全表征的雪崩电压和电流:增强了产品的可靠性和耐用性。
    - 高频率操作:适合高频同步降压转换器,如计算机处理器电源。
    - 无铅:符合环保要求,适用于现代化制造标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频同步降压转换器用于计算机处理器电源管理。
    - 高频隔离式直流-直流转换器用于电信和工业领域。
    使用建议
    - 确保散热良好,避免过热损坏。
    - 注意栅极驱动电路设计,以减少寄生电容的影响。
    - 在高频操作时,要特别关注开关损耗和驱动损耗。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 与其他常见的电源转换组件兼容,可广泛应用于多种电子产品中。
    - IRF 提供详细的应用指南和技术支持文档,帮助用户更好地利用这些组件。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护问题:可以通过增加散热片或改进 PCB 设计来解决。
    2. 开关损耗问题:优化驱动电路,减少驱动信号的上升和下降时间。
    3. 漏电流问题:确保封装完好,无短路风险。

    总结和推荐


    综合评估
    IRLR3715ZPbF 和 IRLU3715ZPbF MOSFET 是高效、可靠的器件,特别适用于需要高频率和高效率的电源转换应用。它们具有较低的导通电阻和栅极电荷,使其非常适合于高频操作。此外,IRF 提供了详尽的技术支持和应用指南,使用户可以轻松上手。
    推荐使用
    对于需要高性能、高可靠性的高频电源转换器的设计者和工程师来说,IRLR3715ZPbF 和 IRLU3715ZPbF MOSFET 是非常值得考虑的选择。强烈推荐使用这些 MOSFET 来提升电源转换器的整体性能。

IRLR3715ZTRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 15A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.55V@ 250µA
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 49A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF@10V
最大功率耗散 40W(Tc)
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRLR3715ZTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR3715ZTRPBF数据手册

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IRLR3715ZTRPBF封装设计

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