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IRF3707ZCSPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 57W(Tc) 20V 2.25V@ 25µA 15nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 9.5mΩ@ 21A,10V 59A 1.21nF@15V D2PAK 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF3707ZCSPBF

IRF3707ZCSPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET(场效应晶体管)是集成半导体科技领域的一款高性能产品,特别适用于高频同步降压转换器,如计算机处理器电源。这款器件具有极低的导通电阻(RDS(on))、超低栅极阻抗和完全表征的雪崩电压及电流特性。作为无铅产品,它旨在提供更环保的解决方案。

    技术参数


    以下是从产品手册中提取的技术规格和技术参数,涵盖电气特性和工作环境:
    - 额定参数
    - VDS(漏源击穿电压):最大值为30V
    - ID(连续漏极电流,VGS@10V):最大值为21A(25°C时)
    - IDM(脉冲漏极电流):未指定最大值
    - PD(最大功率耗散,25°C):40W
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 +175°C
    - 热阻
    - RθJC(结到外壳热阻):典型值 2.653°C/W
    - RθJA(结到环境热阻):典型值 40°C/W(PCB安装)
    - 电气特性
    - RDS(on)(漏源导通电阻):最大值为9.5mΩ(4.5V VGS时)
    - Qg(总栅极电荷):典型值为9.7nC
    - Ciss(输入电容):典型值为1210pF
    - Coss(输出电容):典型值为260pF
    - Crss(反向转移电容):典型值为130pF
    - 雪崩特性
    - EAS(单脉冲雪崩能量):典型值为5.7mJ
    - EAR(重复雪崩能量):最大值为42mJ(ID = 23A时)
    - 二极管特性
    - IS(连续源电流):最大值为59μA
    - trr(反向恢复时间):典型值为14ns

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):当VGS为4.5V时,漏源导通电阻仅为9.5mΩ,显著减少了损耗。
    - 超低栅极阻抗:有助于减少开关损耗和提升系统效率。
    - 全面表征的雪崩特性:确保在高可靠性要求的应用中具有良好的稳定性。
    - 高频率应用:适用于高频同步降压转换器,如计算机处理器电源,提高了整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于高密度电源设计中,尤其是在需要高频工作的场合,如数据中心、服务器电源供应单元。
    - 使用建议:在选择并连接此器件时,建议采用推荐的焊点和连接技术以保证长期稳定运行。例如,采用1"平方的FR-4或G-10材料的电路板进行安装,并遵循应用笔记#AN-994中的建议。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品为D2Pak封装形式,适用于标准的1"平方的电路板,与市场上大多数同类产品兼容。
    - 支持:厂商提供了详尽的应用笔记和技术文档,帮助用户快速上手并优化设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:产品接通延迟时间较长
    - 解决方法:检查驱动信号VGS的幅度和持续时间,确保符合规格要求。

    - 问题二:热管理不佳导致过热
    - 解决方法:增加散热片或者优化PCB布局以增强热管理,参考厂商提供的热阻数据来评估。

    总结和推荐


    总的来说,IRF3707ZCSPbF 和 IRF3707ZCLPbF 是高性能的HEXFET® Power MOSFET产品,适合在高频、高效率的应用场景中使用。它们在设计时充分考虑了性能指标和环境适应性,是目前市场上同类产品的佼佼者。强烈推荐给需要高性能功率处理能力的设计工程师。

IRF3707ZCSPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 57W(Tc)
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.21nF@15V
Id-连续漏极电流 59A
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 21A,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.25V@ 25µA
通道数量 1
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF3707ZCSPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF3707ZCSPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF3707ZCSPBF IRF3707ZCSPBF数据手册

IRF3707ZCSPBF封装设计

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