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IRF630NSPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 82W(Tc) 20V 4V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 200V 300mΩ@ 5.4A,10V 9.3A 575pF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: 8648352
供应商: element14
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF630NSPBF

IRF630NSPBF概述


    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET
    HEXFET® Power MOSFET是由国际整流器公司(International Rectifier)推出的第五代产品,广泛应用于商业和工业领域。这种MOSFET通过先进的工艺技术实现了极低的导通电阻,结合其快速开关能力和坚固的设计,为设计者提供了一种高效可靠的电子元件,适用于多种应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 连续漏极电流,VGS @ 10V | 9.3 | A |
    | 连续漏极电流,VGS @ 100°C| 6.5 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 37 | A |
    | 功率耗散 | 82 | W |
    | 线性降额系数 | 0.5 | W/°C |
    | 栅极-源极电压 | ±20 | V |
    | 单脉冲雪崩能量 | 94 | mJ |
    | 雪崩电流 | 9.3 | A |
    | 重复雪崩能量 | 8.2 | mJ |
    | 峰值二极管恢复dv/dt | 8.1 | V/ns |
    | 操作结温范围 | -55至175 | °C |
    | 存储温度范围 | -55至175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:采用先进的制造工艺,实现极低的导通电阻。
    2. 动态dv/dt额定值:适合高速开关应用。
    3. 175°C操作温度:具备高可靠性,适应高温环境。
    4. 快速开关:提高效率并减少能耗。
    5. 完全雪崩额定值:能够承受瞬态高压冲击。
    6. 易于并联:多个单元并联时性能稳定。
    7. 简单的驱动要求:易于集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET被广泛应用于多种应用场景,例如直流-直流转换器、电机控制、电源管理和电池充电等领域。以下是一些实际应用建议:
    - 在高频开关应用中,确保驱动电路能够快速响应,以充分利用快速开关的特点。
    - 对于高功率密度应用,可以考虑使用D2Pak封装,因其具备更高的功率能力和更低的内部连接电阻。
    - 在高温度环境下使用时,注意散热设计,以防止过热损坏。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET支持多种封装形式,如TO-220AB、D2Pak和TO-262,适用于不同的安装需求。厂商提供了详细的应用指南和支持文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的驱动电路?
    - A: 选择具有足够驱动能力的驱动电路,以确保MOSFET能够快速切换状态。建议参考制造商提供的应用指南。
    2. Q:如何优化散热设计?
    - A: 在高功耗应用中,确保良好的散热设计,可以采用大面积散热片或外部风扇进行冷却。参考制造商的建议进行散热设计。
    3. Q:如何处理过压保护?
    - A: 使用过压保护器件,如瞬态电压抑制器(TVS),来防止电压尖峰损坏MOSFET。具体选型请参考制造商的应用指南。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET凭借其卓越的技术参数、快速的开关速度和坚固的设计,成为市场上非常有竞争力的产品。它不仅适用于高功率密度应用,还能应对严苛的工作环境。总体来说,这款MOSFET是非常值得推荐的选择,特别适用于需要高效、可靠电子元件的工程师和设计师。

IRF630NSPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 5.4A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 82W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 575pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9.3A
栅极电荷 35nC@ 10 V
通道数量 -
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF630NSPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF630NSPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF630NSPBF IRF630NSPBF数据手册

IRF630NSPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 2.3744 ¥ 19.8734
25+ $ 2.1256 ¥ 17.7916
100+ $ 1.7436 ¥ 14.5938
250+ $ 1.4538 ¥ 12.1687
500+ $ 1.2218 ¥ 10.2264
1000+ $ 1.1321 ¥ 9.4753
5000+ $ 1.0679 ¥ 8.9387
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