处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS 5系列, Vds=150 V, 105 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2986459
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1概述


    产品简介


    IPB083N15N5LF
    OptiMOSTM 5 Linear FET, 150V
    IPB083N15N5LF 是一款专为热插拔和电流保护应用设计的电子元器件。作为 OptiMOSTM 5 系列的一部分,该产品采用 D²PAK 封装,主要功能是提供高效的电流控制和电压转换,适用于多种工业和汽车电子应用。这些特性使得 IPB083N15N5LF 在高可靠性要求的应用中表现优异。

    技术参数


    以下是 IPB083N15N5LF 的关键性能参数:
    - 最大连续漏极电流 (ID): 105 A
    - 最大脉冲漏极电流 (ID, pulse): 420 A
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 功率耗散 (Ptot): 179 W (TC=25°C)
    - 反向恢复时间 (trr): 61 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 92 nC
    - 热阻 (RthJA): 62 K/W(最小散热面积)至 40 K/W(6 cm²铜层散热)
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 150 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 3.3 V 至 4.9 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 100 µA (VDS=120 V)
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±5 µA (VGS=20 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 6.9 mΩ 至 8.3 mΩ (VGS=10 V, ID=100 A)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 最大导通电阻仅为 8.3 mΩ,确保了更高的效率和更低的功耗。
    2. 宽安全工作区 (SOA): 能够承受高瞬态电流冲击,增加了系统可靠性。
    3. 高可靠性测试: 通过100%雪崩测试,确保在极端条件下的稳定性能。
    4. 环保材料: 无铅电镀,符合RoHS标准,且无卤素。

    应用案例和使用建议


    IPB083N15N5LF 在多种应用场景中表现出色,例如热插拔电源管理和电流限制电路。对于需要高频开关的应用,如直流-直流转换器,它可以提供优异的性能。此外,其高可靠性和宽温范围使其适合于工业和汽车电子设备中。
    使用建议
    1. 热管理: 设计时要充分考虑器件的散热需求,特别是在高功率应用中。建议使用大散热片或强制空气冷却以提高散热效率。
    2. 电路布局: 在电路板上放置合适的去耦电容,以减少寄生电感的影响。同时确保接地线足够粗以减小地电位差。
    3. 驱动设计: 为了降低开关损耗,建议使用较小的外部栅极电阻(例如1.6 Ω)来优化开关时间。

    兼容性和支持


    IPB083N15N5LF 与常见的 PCB 设计兼容,特别是那些具有适当铜层散热的设计。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的设计指南、应用笔记和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何改善热管理?
    解决方案: 使用较大的散热器或增强的PCB散热设计,确保良好的空气流通和散热路径。可以参考 Infineon 的热设计指南进行优化。
    问题2:如何降低开关损耗?
    解决方案: 选择合适的栅极电阻并优化驱动波形,确保快速而稳定的开关过渡。参考 Infineon 的应用文档获取具体参数建议。

    总结和推荐


    综合评估:
    IPB083N15N5LF 凭借其低导通电阻、高可靠性及广泛的适用性,在各种高要求的应用中表现出色。其优越的性能指标和环境友好特性使其成为当前市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐:
    强烈推荐 IPB083N15N5LF 用于需要高性能和高可靠性的工业和汽车电子应用。其易于使用和广泛的应用范围使其成为许多工程师的理想选择。

IPB083N15N5LFATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 105A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 134µA
配置 独立式
栅极电荷 45nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 150V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 179W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 210pF@75V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.3mΩ@ 100A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB083N15N5LFATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB083N15N5LFATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1数据手册

IPB083N15N5LFATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 27.2107
10+ ¥ 24.3808
100+ ¥ 23.51
500+ ¥ 23.51
库存: 935
起订量: 2 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336