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IRF9910PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W 20V 2.55V@ 250µA 11nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 13.4mΩ@ 10A,10V 10A,12A 900pF@10V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IRF9910PBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF9910PBF

IRF9910PBF概述

    IRF9910PbF HEXFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF9910PbF 是一种采用SO-8封装的高性能双N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),适用于电源管理和控制应用。这款器件通过优化设计以提供非常低的RDS(on),适合用于桌面电脑、服务器、图形卡、游戏机及机顶盒中的电源转换器。该产品不含铅,符合环保要求。

    2. 技术参数


    以下是IRF9910PbF的主要技术规格:
    | 参数 | Q1最大值 | Q2最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | 20 | - | V |
    | VGS(栅源电压) | 20 | - | V |
    | 连续漏电流(VGS=10V时) | 10 | 12 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 33 | 26 | mJ |
    | 雪崩电流 | 8.3 | 9.8 | A |
    | 功耗(TA=25°C时) | 330 | - | mW |
    | 热阻(结到引脚) | - | 42 | °C/W |
    | 热阻(结到环境) | - | 62.5 | °C/W |
    其他重要参数包括:
    - 静态漏源击穿电压:20V
    - 栅阈电压范围:1.65至2.55V
    - 栅阈电压温度系数:-4.9至-5.0 mV/°C
    - 开关电荷(Qg):7.4至23 nC
    - 输出电容(Coss):900至1860 pF

    3. 产品特点和优势


    IRF9910PbF具有以下独特的功能和优势:
    - 非常低的RDS(on):在4.5V VGS下具有非常低的RDS(on),这有助于减少开关损耗并提高效率。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷可以降低驱动器的功耗,并且缩短开关时间。
    - 全面表征的雪崩电压和电流:为高可靠性提供了额外的安全保障。
    - 最大20V栅极额定电压:允许更高的栅极驱动电压,提高系统的鲁棒性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:用于桌面电脑、服务器、图形卡、游戏机及机顶盒等设备中的POL(点负载)转换器。

    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,要注意热管理,确保环境温度不超过最高值,以避免过热损坏。
    - 使用合适的栅极电阻来限制栅极电流,以防止不必要的噪声干扰。
    - 在设计电路时,考虑到总线电压和负载变化对MOSFET的影响,确保系统能够在预期条件下正常工作。

    5. 兼容性和支持


    IRF9910PbF与各种电源转换拓扑结构兼容,如Buck、Boost和半桥电路。厂商提供详尽的技术支持文档和应用程序指南,以帮助客户正确使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:启动电流过高
    - 解决方案:检查负载是否超载,并调整栅极驱动电阻以限制初始电流。
    问题2:温度过高
    - 解决方案:使用散热片或增加通风量来改善散热条件,或者减小负载以降低工作温度。
    问题3:开关时间过长
    - 解决方案:降低栅极电阻以加快开关速度,或者选择更高效的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    IRF9910PbF是一款出色的功率MOSFET,具有优异的性能参数和广泛的适用性。它非常适合于需要高效率和低功耗的应用场景,尤其是在桌面电脑、服务器和消费电子产品中。强烈推荐此产品给那些寻求高效能、高可靠性的设计者。

    以上是对IRF9910PbF技术手册的详细解读,希望能为您提供有价值的参考。

IRF9910PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.55V@ 250µA
配置 -
栅极电荷 11nC@ 4.5V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 10A,12A
通道数量 -
最大功率耗散 2W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 13.4mΩ@ 10A,10V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF9910PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF9910PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF9910PBF IRF9910PBF数据手册

IRF9910PBF封装设计

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