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IPL60R650P6SATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 56.8W(Tc) 20V 4.5V@ 200µA 12nC@ 10 V 1个N沟道 600V 650mΩ@ 2.4A,10V 6.7A 557pF@100V THINPAK-8 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: 726-IPL60R650P6SATMA
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPL60R650P6SATMA1

IPL60R650P6SATMA1概述

    IPL60R650P6S MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管):MOSFET 是一种常用的电子开关器件,在高频和高效率应用中表现出色。其中,CoolMOS™ P6 系列采用了超结(Super Junction)原理设计,由英飞凌科技公司开发。CoolMOS™ P6 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验和高级创新技术,确保了高效的开关性能且易于使用。
    IPL60R650P6S 是一款 600V 的 CoolMOS™ P6 功率晶体管,采用 ThinPAK 5x6 封装形式。它特别适用于 PFC 阶段、硬开关 PWM 阶段和共振 PWM 阶段,如用于 PC Silverbox、适配器、LCD 和 PDP 电视、照明、服务器、电信和 UPS 等应用。

    2. 技术参数


    以下是 IPL60R650P6S MOSFET 的关键性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 最大漏源电压 VDS | 650 | V | Tj,max时的最大值 |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | 0.65 | Ω | Tj=25°C, ID=2.4A时的典型值 |
    | 典型栅极电荷 Qg | 12 | nC | ID=3A, VDD=480V时的典型值 |
    | 脉冲漏极电流 ID,pulse | 16.5 | A | TC=25°C时的最大值 |
    | 饱和能量 Eoss@400V | 1.8 | µJ | ISD<=IS, Tj=25°C时的典型值 |
    | 反向恢复电流 Irrm | 17 | A | VR=400V, IF=3A时的典型值 |

    3. 产品特点和优势


    - 极低损耗:通过非常低的 FOM Rdson Qg 和 Eoss 实现;
    - 高抗电涌能力:确保稳定运行;
    - 易于使用/驱动:适合各类电路;
    - 无铅镀层,无卤素模塑料;
    - 符合工业级标准,如 J-STD020 和 JESD22。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - PFC 阶段:改善功率因数;
    - 硬开关 PWM 阶段:提高电源转换效率;
    - 共振 PWM 阶段:减少电磁干扰,提高稳定性。
    使用建议:
    - 在并联 MOSFET 时,建议使用扼流圈或分离式上拉;
    - 确保 PCB 设计合理,避免热积聚;
    - 配置适当的散热机制,以维持最佳工作温度。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品适用于各种工业级应用,与其他同类产品具备良好的兼容性;
    - 英飞凌提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决实际问题;
    - 可访问相关链接获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - Q:如何避免 MOSFET 过热?
    A:通过优化 PCB 布局和增加散热装置来降低热效应。

    - Q:如何进行 MOSFET 并联操作?
    A:推荐使用扼流圈或独立的推挽配置,以平衡电流分布。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPL60R650P6S MOSFET 是一款高度集成、性能卓越的功率晶体管,具备出色的开关性能、可靠性和易用性。它的广泛应用范围和优秀的市场竞争力使其成为许多行业解决方案的首选。
    推荐:
    强烈推荐该产品用于高要求的电源转换应用,如 PC 适配器、服务器电源和 UPS 等。由于其独特的技术和特性,这款 MOSFET 不仅能显著提升系统性能,还能降低整体成本。

IPL60R650P6SATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 2.4A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 200µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 557pF@100V
栅极电荷 12nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 56.8W(Tc)
Id-连续漏极电流 6.7A
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 THINPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

IPL60R650P6SATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPL60R650P6SATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R650P6SATMA1 IPL60R650P6SATMA1数据手册

IPL60R650P6SATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.208 ¥ 18.6576
10+ $ 1.4605 ¥ 12.3412
100+ $ 0.9266 ¥ 7.8301
500+ $ 0.7366 ¥ 6.2239
1000+ $ 0.635 ¥ 5.3661
2500+ $ 0.5775 ¥ 4.8799
5000+ $ 0.5429 ¥ 4.5871
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