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IRFH5006TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 100 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: IRFH5006TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH5006TRPBF

IRFH5006TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管,主要用于各种电力转换和控制场合。它具备低导通电阻(RDSon)和高可靠性等显著特点,适用于次级侧同步整流、直流电机逆变器、DC-DC 砖块应用及升压转换器等场景。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和性能指标:
    - 最大漏源电压(VDS): 60V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)): 4.1mΩ (在VGS=10V)
    - 典型栅极电荷(Qg): 69nC
    - 典型栅极电阻(RG): 1.2Ω
    - 连续漏电流(ID): 在25℃时为100A,在70℃时为40A
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 170A
    - 最大功率耗散(PD): 21W
    - 热阻(RθJC-mb): 0.5至0.8°C/W
    - 最大存储温度范围(TSTG): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    HEXFET Power MOSFET 具有多项优势:
    - 低导通电阻(RDSon): 最小值为3.5mΩ,有助于降低功耗和提高效率。
    - 低热阻(RθJC-mb): 使散热更加有效,增强可靠性。
    - 100%栅极电阻测试: 增强可靠性。
    - 超薄封装(≤0.9mm): 提高功率密度。
    - 行业标准引脚布局: 支持多供应商兼容。
    - 环保材料: 符合RoHS标准,不含铅、溴化物和卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET Power MOSFET 可广泛应用于多种电子系统中:
    - 同步整流: 在电源设计中使用,例如数据中心服务器的开关电源。
    - 直流电机逆变器: 高效转换和驱动控制电机。
    - DC-DC 转换器: 在需要高效率和紧凑设计的系统中应用。
    - 升压转换器: 用于提升电压输出,如LED驱动器。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,需注意散热,避免因过热导致性能下降。
    - 结合外部散热片或冷却装置,可以更好地提高产品稳定性。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可与其他常见的表面贴装工艺兼容。此外,制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括样品申请、技术支持热线等。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中的信息,以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题1:产品发热异常
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或改善气流。

    - 问题2:开启延迟时间长
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保栅极电阻(RG)和驱动信号符合产品要求。
    - 问题3:反向恢复时间长
    - 解决方案:选择合适的外部二极管或采用软恢复设计以减小反向恢复时间。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HEXFET Power MOSFET 是一款性能卓越、适用范围广泛的功率半导体器件。其低导通电阻、高可靠性、环保特性等优点使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐在需要高效、高功率密度的电力电子系统中使用。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系当地的Infineon Technologies办事处获取更多帮助。

IRFH5006TRPBF参数

参数
最大功率耗散 3.6W(Ta),156W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 21A,100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.175nF@30V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 100nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式quaddraintriplesource
长*宽*高 5mm*6mm*830μm
通用封装 PQFN-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFH5006TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH5006TRPBF数据手册

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IRFH5006TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ ¥ 7.797
8000+ ¥ 7.5258
16000+ ¥ 7.3902
32000+ ¥ 7.3224
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