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IPP100N12S305AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 240µA 185nC@ 10 V 1个N沟道 120V 5.1mΩ@ 100A,10V 11.57nF@25V TO-220-3 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: IPP100N12S305AKSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP100N12S305AKSA1

IPP100N12S305AKSA1概述

    # IPB100N12S3-05 OptiMOS™-T Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPB100N12S3-05 OptiMOS™-T Power Transistor 是一种用于汽车应用的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款晶体管在高温度环境下表现优异,符合RoHS标准,并经过100%雪崩测试验证。IPB100N12S3-05 采用不同的封装形式,如PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1 和 PG-TO220-3-1,适用于多种电子系统中的电源管理、逆变器及电机控制等关键环节。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极连续电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 100 | 100 | 100 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A 400
    | 雪崩能量,单脉冲 | EAS | ID=50A | mJ 1445
    | 雪崩电流,单脉冲 | IAS A 100 |
    | 栅源电压 | VGS V | -20 +20 |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C | W 300
    | 工作和存储温度 | Tj, Tstg °C | -55 +175 |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过了AEC-Q101认证,适用于汽车应用。
    - 高温稳定性:在高达175°C的工作温度下表现出色。
    - 卓越的热阻性能:热阻低,有助于降低功耗和提高散热效率。
    - 快速开关特性:具有较低的输入电容和输出电容,能实现更快的开关速度。
    - 出色的雪崩耐受性:经100%雪崩测试,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPB100N12S3-05 在电动车和混合动力车的电池管理系统中发挥着关键作用。例如,在电池充电和放电过程中,它能够高效地管理电流并保护电池不受过压损害。此外,该器件在工业电机控制和逆变器中也有广泛应用,能显著提升系统的稳定性和能效。
    使用建议
    - 优化散热设计:由于该器件在高温下的性能优秀,建议在应用中采取良好的散热措施,以进一步提升其工作效率。
    - 选择合适的驱动电路:为了充分发挥其快速开关特性,建议使用能够提供适当栅极电压的驱动电路。
    - 合理布局:在PCB设计时,注意将器件布置在易于散热的位置,避免高温导致性能下降。

    兼容性和支持


    IPB100N12S3-05 支持广泛的封装选项,包括PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1 和 PG-TO220-3-1。对于不同的封装形式,可以通过相应的引脚图来方便地与其它电子元件连接。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的应用指南和在线资源,帮助用户在应用中最大化其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作电压?
    - 解答:根据典型工作条件下的数据表,选择一个合适的栅源电压(VGS),通常推荐为10V。

    2. 问题:如何确保器件的散热效果?
    - 解答:使用热阻低的封装材料和适当的散热器,同时注意改善PCB布局以提高整体散热效率。

    3. 问题:如果器件过热,怎么办?
    - 解答:检查电路设计是否合理,确保所有散热措施均已到位;如果需要,可以考虑更换更高热阻性能的封装或增加外部冷却装置。

    总结和推荐


    IPB100N12S3-05 OptiMOS™-T Power Transistor凭借其卓越的高温性能、快速开关特性及出色的雪崩耐受性,在多种应用场合中表现出色。其广泛的支持与强大的兼容性使其成为电池管理系统、电机控制及逆变器等领域的理想选择。我们强烈推荐这一产品,特别是对高性能和高可靠性的需求较高的项目。

IPP100N12S305AKSA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 240µA
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.57nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.1mΩ@ 100A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 120V
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 185nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP100N12S305AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP100N12S305AKSA1数据手册

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IPP100N12S305AKSA1封装设计

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