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IPG20N04S409ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPG系列, Vds=40 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6 双封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2291841
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N04S409ATMA1

IPG20N04S409ATMA1概述

    # IPG20N04S4-09 OptiMOS™-T2 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPG20N04S4-09 OptiMOS™-T2 功率晶体管 是一款高性能的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于汽车电子、电源管理和工业自动化等领域。该产品已通过 AEC Q101 认证,具备出色的电气特性和可靠性,适用于高温和严苛的工作环境。

    技术参数


    以下是 IPG20N04S4-09 的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | \( ID \) | \( TC = 25 °C, V{GS}=10 V \) | A 20
    | 脉冲漏极电流 | \( I{D,pulse} \) A 80 |
    | 击穿电压 | \( V(BR)DSS \) | \( V{GS}=0 V, ID=1 mA \) | V 40
    | 门限电压 | \( V{GS(th)} \) | \( V{DS}=V{GS}, ID= 22\mu A \) | V | 2.0 | 3.0 | 4.0 |
    | 漏源导通电阻 | \( R{DS(on)} \) | \( V{GS}=10 V, ID=17 A \) | mΩ 7.9 | 8.6 |
    | 极端温度下的工作温度 | \( Tj \) °C | -55 | 175
    | 热阻抗 | \( R{thJC} \) K/W 2.8

    产品特点和优势


    IPG20N04S4-09 OptiMOS™-T2 功率晶体管 的显著特点是其卓越的性能和高可靠性。具体特点如下:
    1. 双通道设计:便于并行操作,提高系统的整体效率。
    2. 高耐压能力:漏源击穿电压高达 40V,适合多种高压应用。
    3. 低导通电阻:典型值为 7.9 mΩ,降低功耗,提高能效。
    4. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行(-55°C 至 175°C)。
    5. 环保材料:符合 RoHS 标准,绿色产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电动汽车:作为驱动电机控制系统的开关器件。
    - 太阳能逆变器:用于提高能源转换效率。
    - 工业电源:提高电源模块的整体效率和稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:由于热阻较低,需要合理设计散热系统以确保器件长期稳定运行。
    - 电压保护:由于漏源击穿电压较高,可在电路设计时增加过压保护措施。
    - 驱动电路:推荐使用稳定的驱动信号,确保开关过程中的可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可以与其他标准 SMD 封装的 MOSFET 并行使用。
    - 支持:Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流过高导致发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片或优化电路设计,降低电流。
    2. 问题:门限电压不稳影响正常工作。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保提供稳定的门限电压。
    3. 问题:长时间工作后器件出现性能下降。
    - 解决方案:定期检查并更换工作环境恶劣条件下的器件。

    总结和推荐


    综上所述,IPG20N04S4-09 OptiMOS™-T2 功率晶体管 是一款具有高可靠性、高性能和广泛应用潜力的器件。其独特的设计和出色的技术指标使其成为众多应用领域的理想选择。强烈推荐在对性能和可靠性要求较高的项目中使用此产品。

IPG20N04S409ATMA1参数

参数
栅极电荷 28nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.6mΩ@ 17A,10V
配置
通道数量 2
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 54W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 22µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.25nF@25V
Id-连续漏极电流 20A
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

IPG20N04S409ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N04S409ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1数据手册

IPG20N04S409ATMA1封装设计

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20+ ¥ 8.5786
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500+ ¥ 7.7838
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