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IPP120P04P4L03AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=40 V, 120 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPP120P04P4L03AKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP120P04P4L03AKSA1

IPP120P04P4L03AKSA1概述

    IPB120P04P4L-03 OptiMOS®-P2 Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB120P04P4L-03 是由 Infineon Technologies 生产的一款 P 通道增强型逻辑电平场效应晶体管(FET)。它属于 OptiMOS®-P2 系列,主要用于高功率、高效率的应用场景。这种类型的晶体管广泛应用于汽车电子、电源管理、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电流:连续漏极电流 \( ID \) 在 25°C 下为 -120A,在 100°C 下为 -114A;脉冲漏极电流 \( I{D,\text{pulse}} \) 在 25°C 下为 -480A。
    - 击穿电压:漏源击穿电压 \( V{(BR)\text{DSS}} \) 为 -40V。
    - 栅源电压:栅源电压 \( V{GS} \) 为 +5V/-16V。
    - 热阻抗:结至壳体热阻 \( R{\text{thJC}} \) 为 1.1 K/W;结至环境热阻 \( R{\text{thJA}} \) 为 62 K/W(引线版本),最小散热面积为 6cm² 的 SMD 版本为 40 K/W。
    - 导通电阻:在 \( V{GS} = -4.5V \) 和 \( V{GS} = -10V \) 条件下分别为 3.1mΩ(SMD 版本)和 2.6mΩ(SMD 版本)。
    - 最大功耗:在 25°C 下为 136W。
    - 工作温度范围:工作温度 \( Tj \) 和存储温度 \( T{stg} \) 分别为 -55°C 到 +175°C。

    3. 产品特点和优势


    IPB120P04P4L-03 的独特之处在于其出色的性能指标和广泛的适用性。作为一款 P 通道增强型逻辑电平场效应晶体管,它具有以下优势:
    - 高可靠性:通过了 AEC-Q101 认证,适合用于汽车电子等高可靠性要求的应用。
    - 低功耗:低导通电阻 \( R{DS(on)} \),在高温下仍能保持良好的导电性能。
    - 高耐压能力:具有 -40V 的漏源击穿电压,适用于多种高压应用。
    - 环境友好:符合 RoHS 标准,无卤素设计,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子:用于汽车电池管理系统、DC-DC 转换器等。
    - 工业自动化:应用于电机驱动、电源转换器等。
    使用建议:
    - 确保适当的散热措施,特别是在高电流环境下使用时。
    - 使用低阻值栅极电阻来减少开关损耗。
    - 在高频应用中,注意并优化寄生电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件提供三种封装形式:PG-TO263-3-2(IPB120P04P4L-03)、PG-TO262-3-1(IPI120P04P4L-03)和 PG-TO220-3-1(IPP120P04P4L-03)。
    - 支持标准的 PCB 安装,能够与其他主流 PCB 组件良好配合。
    支持:
    - Infineon 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、应用指南和技术论坛。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 导通电阻异常高:
    - 解决方案:检查电路是否存在过高的栅极电阻或不足的栅极电压。

    2. 工作温度过高导致损坏:
    - 解决方案:增加散热片或改善通风条件,确保器件工作在规定的温度范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPB120P04P4L-03 OptiMOS®-P2 功率晶体管以其卓越的性能、广泛的工作温度范围和高度的可靠性,成为汽车电子和工业自动化领域的理想选择。它具备出色的低功耗特性、高耐压能力和高可靠性,适用于多种高功率应用场景。
    推荐:
    我们强烈推荐使用 IPB120P04P4L-03 在需要高性能和可靠性的应用中。该器件不仅能满足严格的性能要求,还提供了完善的配套支持和服务。

IPP120P04P4L03AKSA1参数

参数
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 234nC@ 10 V
通道数量 1
最大功率耗散 136W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 100A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 340µA
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IPP120P04P4L03AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP120P04P4L03AKSA1数据手册

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IPP120P04P4L03AKSA1封装设计

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