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BSC054N04NS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=40 V, 81 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 30C-BSC054N04NS G PG-TDSON-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC054N04NS G

BSC054N04NS G概述

    # BSC054N04NS G OptiMOS™3 Power-Transistor

    产品简介


    BSC054N04NS G是一款由Infineon Technologies公司生产的OptiMOS™3系列功率晶体管。这款晶体管专为开关电源(SMPS)和直流/直流转换器设计,具有快速切换性能和出色的热性能。由于其出色的参数和广泛的应用范围,BSC054N04NS G非常适合在电力电子系统中使用,如服务器电源、工业控制设备、电动汽车充电站等。

    技术参数


    以下是BSC054N04NS G的主要技术参数:
    - 最大连续漏极电流:在 Tc=25°C 时为81A,在 Tc=100°C 时为52A,在 TA=25°C 和 RthJA=50K/W时为17A。
    - 脉冲漏极电流:在 Tc=25°C 时为324A。
    - 雪崩击穿电流:在 Tc=25°C 时为50A。
    - 雪崩能量:在 ID=50A 和 RG=25W 时为35mJ。
    - 栅源电压:±20V。
    - 耐压值:40V。
    - 最大导通电阻:5.4mΩ。
    - 热阻:底部到外壳(RthJC):2.2K/W;顶部到外壳(RthJC):20K/W;器件到PCB(RthJA):50K/W。
    - 静态特性:导通电阻(RDS(on)):在 VGS=10V 和 ID=50A 时为4.5mΩ至5.4mΩ。
    - 动态特性:输入电容(CISS):2100pF至2800pF;输出电容(COSS):620pF至820pF。
    - 开关电荷:总栅电荷(Qg):26nC至34nC。

    产品特点和优势


    BSC054N04NS G的独特功能和优势包括:
    - 快速切换:适用于开关电源,能够有效降低功耗并提高效率。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为5.4mΩ,大大降低了功耗,提高了能效。
    - 优越的热性能:低热阻确保了长期稳定的工作状态,即使在高温环境下也能保持高效运行。
    - 高可靠性:100%雪崩击穿测试保证了产品的可靠性和耐用性。
    - 环保材料:符合RoHS标准,无铅,无卤素,满足现代电子设备对环保的要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSC054N04NS G适用于多种应用场景,例如:
    - 服务器电源:用于数据中心的高性能服务器,需要高效的功率转换以减少能源消耗。
    - 工业控制设备:如工业机器人和自动化生产线,需要稳定可靠的电源管理。
    - 电动汽车充电站:提供快速而稳定的充电体验,满足电动车用户的需求。
    使用建议
    1. 散热设计:由于该器件具有较高的导通电阻和电流能力,因此在实际应用中需注意有效的散热设计,以避免过热现象。
    2. 驱动电路:为了实现快速切换,建议使用专用的栅极驱动电路,以确保栅极信号的稳定性。
    3. 外部保护:由于器件的最大漏极电流较高,建议在电路中增加适当的外部保护措施,如保险丝或瞬态电压抑制器(TVS)。

    兼容性和支持


    BSC054N04NS G采用了标准的PG-TDSON-8封装,易于与其他电子元器件和设备集成。Infineon Technologies公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括用户手册、技术咨询和技术支持等。此外,公司还提供全面的产品认证,确保其符合行业标准和规范。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    解决方案:根据产品的技术参数表,推荐的栅极驱动电压为10V,这可以确保良好的开关性能和低损耗。

    2. 问题:在高温环境下,如何保持性能稳定?
    解决方案:通过优化散热设计和选择适当的散热材料,确保器件能够在高温环境中正常工作。此外,还可以考虑使用外部冷却装置来辅助散热。

    3. 问题:如何防止电磁干扰?
    解决方案:采用适当的屏蔽技术和滤波电路,可以有效减少电磁干扰。同时,合理布局电路板上的元件,尽量减少信号线之间的距离,也有助于减少干扰。

    总结和推荐


    总体来看,BSC054N04NS G是一款性能卓越、应用广泛的功率晶体管,尤其适合在电力电子系统中使用。其出色的快速切换性能、低导通电阻和优越的热性能使其成为市场上的热门产品。如果您正在寻找一款高效、可靠的功率晶体管,BSC054N04NS G无疑是一个值得推荐的选择。

BSC054N04NS G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 26nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5KW
Rds(On)-漏源导通电阻 5.4mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.1nF@ 20V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式quaddraintriplesource
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm
通用封装 TDSON(EP)
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

BSC054N04NS G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC054N04NS G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC054N04NS G BSC054N04NS G数据手册

BSC054N04NS G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.608
100+ ¥ 2.882
1250+ ¥ 2.574
2500+ ¥ 2.42
5000+ ¥ 2.31
30000+ ¥ 2.299
65000+ ¥ 2.277
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