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IRLR8256PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 63W(Tc) 20V 2.35V@ 25µA 15nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 5.7mΩ@ 25A,10V 81A 1.47nF@13V TO-252 贴片安装
供应商型号: IRLR8256PBF-ND
供应商:
标准整包数: 1125
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR8256PBF

IRLR8256PBF概述

    IRLR8256PbF 和 IRLU8256PbF HEXFET Power MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    IRLR8256PbF 和 IRLU8256PbF 是来自国际整流器公司的 HEXFET Power MOSFET 系列产品。这类 MOSFET 主要用于高频同步降压转换器以及高频隔离式直流-直流转换器,尤其是在计算机处理器电源和电信及工业应用领域中表现出色。IRLR8256PbF 采用 D-Pak 封装,而 IRLU8256PbF 则采用 I-Pak 封装。

    技术参数


    以下是这两种 MOSFET 的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压): 25V
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - ID(连续漏极电流): 31A(在25°C下)
    - IDM(脉冲漏极电流): 25A(最大)
    - PD(最大功率耗散): 57W(在25°C下),325W(在100°C下)
    - 电气特性
    - RDS(on)(导通电阻): 4.5V 时的最大值为5.7mΩ
    - Qg(总栅极电荷): 10nC 至 15nC
    - Qgs1(预阈值栅极-源极电荷): 2.3nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷): 3.6nC
    - Qoss(输出电荷): 9.0nC
    - gfs(前向跨导): 81S
    - trr(反向恢复时间): 19至29ns
    - Qrr(反向恢复电荷): 17至26nC
    - 工作环境
    - 存储温度范围(TSTG): -55°C 至 +175°C
    - 操作结温范围(TJ): -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 的主要特点是:
    - 非常低的 RDS(on): 在 4.5V VGS 时只有 5.7mΩ,保证高效能转换。
    - 超低栅极阻抗: 进一步减少开关损耗。
    - 全字符化雪崩电压和电流: 提高可靠性和耐用性。
    - 无铅设计和符合 RoHS: 满足环保要求。
    - 完全兼容焊接温度:确保制造过程中良好的热稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRLR8256PbF 和 IRLU8256PbF 主要应用于:
    - 高频同步降压转换器,如计算机处理器电源
    - 高频隔离式直流-直流转换器,用于电信和工业应用
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高频应用中选择合适的栅极电阻以控制开关速度。
    - 注意在极端温度下的散热管理,特别是在 100°C 以上的环境。

    兼容性和支持


    这两种 MOSFET 均采用行业标准封装,易于集成到现有系统中。国际整流器公司提供全面的技术支持,包括应用笔记和故障排除指南。此外,通过访问他们的网站可以找到详细的产品信息和可靠性的评估标准。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗高 | 选择更低 RDS(on) 的 MOSFET 型号 |
    | 热失控 | 使用散热片或增加散热面积,确保良好的空气流通 |
    | 反向恢复特性差 | 选用更高 gfs 和更低 Qrr 的型号 |

    总结和推荐


    IRLR8256PbF 和 IRLU8256PbF HEXFET Power MOSFET 系列具备高效能和出色的可靠性,非常适合于多种高频应用。其优秀的电气特性,较低的 RDS(on),以及良好的抗雪崩能力使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高效转换的应用场景,我们强烈推荐使用这一系列的 MOSFET。

IRLR8256PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 81A
Vds-漏源极击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF@13V
最大功率耗散 63W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25µA
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 25A,10V
通道数量 -
配置 -
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.39mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR8256PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR8256PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR8256PBF IRLR8256PBF数据手册

IRLR8256PBF封装设计

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