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IRGS6B60KDPBF

产品分类: IGBT单管
产品描述: 90W 1.8V 独立式withbuilt-indiode 600V 13A D2PAK 贴片安装
供应商型号: 8640993
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IRGS6B60KDPBF

IRGS6B60KDPBF概述

    Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Ultrafast Soft Recovery Diode

    1. 产品简介


    这款绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)结合了超快软恢复二极管(Ultrafast Soft Recovery Diode)。此IGBT特别适用于需要高效能电机控制的应用场景,因其具备低饱和电压(VCE(on))和出色的软恢复特性。主要功能包括控制电流流动,调节电压,以实现高效的电源管理和转换。典型应用领域包括工业驱动、光伏逆变器、不间断电源系统(UPS)、电机驱动和各种电力电子装置。

    2. 技术参数


    - 额定参数:
    - 集电极-发射极击穿电压(VCES):600 V
    - 连续集电极电流(IC):
    - TC = 25°C时:18 A
    - TC = 100°C时:10 A
    - 脉冲集电极电流(ICM):26 A
    - 钳位电感负载电流(ILM):26 A
    - 二极管正向连续电流(IF):
    - TC = 25°C时:18 A
    - TC = 100°C时:10 A
    - 二极管最大正向电流(IFM):26 A
    - 门极-发射极电压(VGE):±20 V
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C时:90 W
    - TC = 100°C时:36 W
    - 热阻参数:
    - 结-外壳热阻(RθJC):
    - IGBT:未提供
    - 二极管:未提供
    - 外壳-散热片热阻(RθCS):0.50 °C/W
    - 结-环境热阻(RθJA):
    - 插座安装:未提供
    - PCB安装(稳态):40 °C/W
    - 重量(Wt):1.44 g
    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CES):600 V
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(on)):
    - IC = 5.0 A,VGE = 15 V时:1.5 V
    - IC = 5.0 A,VGE = 15 V,TJ = 150°C时:2.20 V 至 2.50 V
    - 门极阈值电压(VGE(th)):3.5 V 至 5.5 V
    - 门极-发射极泄漏电流(IGES):±100 nA
    - 总门极电荷(Qg):18.2 nC
    - 开通损耗(Eon):110 μJ 至 210 μJ
    - 关断损耗(Eoff):135 μJ 至 245 μJ

    3. 产品特点和优势


    - 低VCE(on):采用非穿透式IGBT技术,确保在高功率应用中的低饱和电压。
    - 低VF:二极管具有较低的正向电压降,提高效率。
    - 10μs短路能力:增强系统的可靠性和耐用性。
    - 方形RBSOA:保证在不同操作条件下的稳定性能。
    - 软恢复特性:提高开关频率并减少EMI(电磁干扰)。
    - 正VCE(on)温度系数:有助于提高设备的稳定性。
    - 无铅设计:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业驱动:在工业电机控制中,此IGBT能提高系统的效率和可靠性,特别是在需要频繁启动和停止的场合。
    - 光伏逆变器:应用于光伏逆变器时,通过提高转换效率来优化能源利用。
    - 建议:
    - 确保正确的散热设计,避免过热导致损坏。
    - 选择适当的门极电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此IGBT可与多种其他电子元件和设备兼容,如特定类型的PCB、散热器和驱动器。
    - 支持:制造商提供详细的安装指南和技术支持,确保用户能够正确安装和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:无法正常关断
    解决方法:检查门极驱动信号,确保其幅度和频率适当。增加门极电阻,以减少关断时间。
    - 问题2:发热过多
    解决方法:确保有效的散热设计,如使用散热片或冷却风扇。降低工作电流,避免长时间过载。
    - 问题3:开关损耗过高
    解决方法:优化电路设计,如选择适当的门极电阻以减少开关时间。考虑使用低损耗的二极管。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款IGBT凭借其高效、稳定的性能和广泛的适用性,非常适合作为工业驱动和其他电力电子应用的关键部件。建议在选择电子元件时考虑此产品,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。

IRGS6B60KDPBF参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.8V
配置 独立式withbuilt-indiode
集电极电流 13A
最大功率耗散 90W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRGS6B60KDPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRGS6B60KDPBF数据手册

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IRGS6B60KDPBF封装设计

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