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IPB80P04P405ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 151nC@ 10 V 1个P沟道 40V 4.9mΩ@ 80A,10V 80A 10.3nF@25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: IPB80P04P405ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80P04P405ATMA1

IPB80P04P405ATMA1概述

    IPB80P04P4-05 / IPI80P04P4-05 / IPP80P04P4-05 OptiMOS®-P2 Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB80P04P4-05 / IPI80P04P4-05 / IPP80P04P4-05 是一款由 Infineon Technologies 生产的 P 通道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的电子元器件主要用于电源管理、汽车电子、工业控制等领域,由于其出色的性能和稳定性,在现代电力系统设计中广泛应用。

    2. 技术参数


    - 最大连续漏极电流:ID = -80 A (TC = 25°C, VGS = -10V)
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse = -320 A (TC = 25°C)
    - 雪崩能量单脉冲:EAS = 64 mJ (ID = -40A)
    - 雪崩电流单脉冲:IAS = -80 A
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 功率耗散:PTOT = 125 W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围:TJ = -55 ... +175 °C
    - 热阻:RthJC = 1.2 K/W, RthJA (SMD 版本, 设备安装在 PCB 上) = 62 K/W (最小脚印), 40 K/W (冷却区域 6 cm²)
    - 击穿电压:V(BR)DSS = -40 V (VGs = 0V, ID = -1mA)
    - 阈值电压:VGS(th) = -2.0 ~ -4.0 V (VDs = VGS, ID = -250 µA)
    - 零栅电压漏极电流:IDSS = -0.05 ~ -1 µA (VDS = -32V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
    - 导通电阻:RDS(on) = 3.7 ~ 4.9 mΩ (VGS = -10V, ID = -80A, SMD 版本)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:经过 AEC 认证,适用于汽车电子等高可靠性要求的应用。
    - 高温性能:可承受高达 175°C 的工作温度,满足恶劣环境下的应用需求。
    - 快速开关:具有低输入电容 (Ciss),输出电容 (Coss),反向转移电容 (Crss) 等特性,确保了良好的开关性能。
    - 环保材料:采用绿色包装,符合 RoHS 标准,是绿色环保的首选。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:此产品常用于汽车电子(如电机驱动)、工业控制、电源转换器等场合。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在实际应用中仔细考虑散热设计,确保器件正常工作。特别是在高电流和高温环境下,需要额外注意热管理。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPB80P04P4-05 / IPI80P04P4-05 / IPP80P04P4-05 可以方便地与其他 Infineon Technologies 的产品进行组合使用。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南、测试报告等,帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温度环境下运行时,器件出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或优化 PCB 设计,提高散热效率。
    - 问题:长时间工作后,器件性能下降。
    - 解决方案:定期检查和维护,确保良好的接触和散热条件。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPB80P04P4-05 / IPI80P04P4-05 / IPP80P04P4-05 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,具备高可靠性和优良的电气特性,适用于多种应用场景。特别是对于需要承受高温环境和高功率操作的场合,更是不可多得的选择。强烈推荐在工业和汽车电子领域中使用。
    通过这篇技术手册,希望能帮助您更全面地了解这款产品,并在您的项目中发挥其应有的价值。

IPB80P04P405ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.9mΩ@ 80A,10V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 151nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 125W(Tc)
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.3nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IPB80P04P405ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80P04P405ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80P04P405ATMA1 IPB80P04P405ATMA1数据手册

IPB80P04P405ATMA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 14.1897
50+ ¥ 12.4661
100+ ¥ 11.1357
200+ ¥ 10.5115
500+ ¥ 10.011
1000+ ¥ 9.5343
库存: 1997
起订量: 10 增量: 1
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