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IRLR120NTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 10 A, DPAK封装, 通孔安装
供应商型号: 14M-IRLR120NTRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的表面贴装功率场效应晶体管(Power MOSFET),其核心设计采用了先进的制造工艺。它具有以下两种封装形式:直插式(IRLR120N)和表面贴装式(IRLU120N)。作为业内知名的电子元件,该系列 MOSFET 被广泛应用于通信、计算机、消费电子、工业控制等多个领域。它的显著特点是高效率和快速开关能力,为现代电子产品提供了优秀的功率管理解决方案。

    技术参数


    以下是 HEXFET® Power MOSFET 的关键技术参数,适用于不同工况下的性能需求:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 连续漏极电流(ID,25°C) | 10 | A |
    | 连续漏极电流(ID,100°C) | 7.0 | A |
    | 漏源击穿电压(V(BR)DSS) | 100 | V |
    | 静态导通电阻(RDS(on)) | 0.185 | Ω |
    | 功率耗散(PD,25°C) | 48 | W |
    | 结点至外壳热阻(RθJC) | —— | 3.1 | °C/W |
    | 结点至环境热阻(RθJA) | —— | 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 的主要特点包括:
    1. 先进的制造工艺:采用国际领先的技术,确保高效能与可靠性。
    2. 快速开关性能:显著减少开关损耗,适合高频应用场合。
    3. 全面的保护功能:具备完全雪崩额定值(Fully Avalanche Rated),确保电路安全。
    4. 环保无铅设计:符合 RoHS 规范,绿色环保。
    5. 适用范围广:能够在极端温度下(-55 至 +175°C)正常工作,满足恶劣环境需求。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 在多个领域表现出色,例如:
    1. 通信电源:用于高速开关电路,提升通信设备的效率。
    2. 计算机散热系统:通过高效的热管理和散热性能,确保设备长时间稳定运行。
    3. 工业控制:应用于电机驱动器及工业自动化控制系统中,提供卓越的性能表现。
    使用时建议:
    - 确保驱动电路的设计与 RDS(on) 和 V(BR)DSS 参数相匹配。
    - 优先选择适合的应用温度范围,避免过载。
    - 使用时结合良好的 PCB 布局和接地设计,减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 与多种模块和设备兼容,如标准 PCB 模块。制造商提供详尽的文档支持和售后技术支持,用户可通过官方网站访问最新资料。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保正确的门极驱动设计和波形优化。 |
    | 导通电阻异常增加 | 检查封装完整性并测试电路连接。 |
    | 散热不良导致性能下降 | 增加外部散热器或优化 PCB 设计。 |

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 以其卓越的性能和广泛的适用性成为现代电子设备的理想选择。无论是在通信设备还是工业控制领域,这款产品都能显著提高系统的效率和稳定性。因此,我们强烈推荐使用该系列 MOSFET 来应对各种复杂的电力电子需求。
    如果您正在寻找一款高效、可靠且易于集成的功率管理解决方案,HEXFET® Power MOSFET 将是一个明智的选择!

IRLR120NTRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 185mΩ@ 6A,10V
配置 独立式
栅极电荷 20nC@ 5 V
最大功率耗散 48W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLR120NTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR120NTRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF数据手册

IRLR120NTRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.695
10+ ¥ 1.6667
30+ ¥ 1.3183
100+ ¥ 1.1112
300+ ¥ 1.017
2000+ ¥ 0.9417
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