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IPB17N25S3-100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 107W 10V 2V 14nC 1个N沟道 250V 100mΩ 17A D2PAK,TO-263 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: Q-IPB17N25S3-100
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB17N25S3-100

IPB17N25S3-100概述

    IPB17N25S3-100 和 IPP17N25S3-100 OptiMOS™-T 功率晶体管技术手册

    产品简介


    IPB17N25S3-100 和 IPP17N25S3-100 是来自 Infineon Technologies 的 OptiMOS™-T 系列 N 沟道增强型功率晶体管。这类晶体管广泛应用于多种电子设备,如开关电源、电机驱动、电动汽车及工业控制等领域。这些器件具备出色的热稳定性和可靠性,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    - 类型: N 沟道增强型
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流 (T C=25°C, V GS=10 V): 17 A
    - 脉冲漏极电流 (T C=25°C): 68 A
    - 单脉冲雪崩能量 (I D=5.4A): 54 mJ
    - 雪崩电流 (单脉冲): 5.4 A
    - 反向二极管 dV/dt: 6 kV/µs
    - 栅源电压: ±20 V
    - 功耗 (T C=25°C): 107 W
    - 工作和存储温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V GS=0V, I D=1mA): 250 V
    - 栅阈电压 (V DS=V GS, I D=54µA): 2.0-4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (V DS=250V, V GS=0V): 0.01-1 µA
    - 输入电容 (C iss): 1133-1500 pF
    - 输出电容 (C oss): 480-625 pF
    - 逆向传输电容 (Crss): 11-23 pF
    - 导通电阻 (R DS(on)): 85-100 mΩ (V GS=10V, I D=17A)
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 (R thJC): 1.4 K/W
    - 结到环境热阻 (R thJA, 引线版): 62 K/W
    - 表面贴装器件热阻 (R thJA): 62 K/W (最小化铜面积为 6 cm²)

    产品特点和优势


    - AEC 合格:该产品经过严格的汽车电子委员会(Automotive Electronics Council)认证,确保其符合汽车级电子组件的严格标准。
    - 绿色产品:该产品符合 RoHS 标准,不含有害物质,对环境友好。
    - 抗雪崩能力:所有样品均通过 100% 雪崩测试,确保其在极端条件下的可靠性。
    - 高耐温性:最高工作温度可达 175°C,适用于高温环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换器:利用其低导通电阻和高耐温性,适用于高频开关电源。
    - 电机驱动:由于其高电流处理能力和抗雪崩能力,非常适合用于电机驱动电路。
    - 使用建议:
    - 在设计电源转换器时,需考虑散热问题,确保热阻符合系统要求。
    - 对于电机驱动应用,选择适当的栅极驱动电压以避免误触发。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品有多种封装形式(如 PG-TO263-3-2 和 PG-TO220-3-1),可与其他标准封装的器件兼容。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档和工程咨询服务,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何提高产品的散热效果?
    - 解决方案:增加散热片面积或采用强制冷却措施,如风扇或散热器。
    - 问题2:如何确保正确驱动?
    - 解决方案:确保驱动电压不超过额定值,并适当调节栅极电阻以防止过压和过流。

    总结和推荐


    IPB17N25S3-100 和 IPP17N25S3-100 OptiMOS™-T 功率晶体管凭借其卓越的性能和可靠性,在各种高压应用中表现出色。它们不仅适合工业和汽车应用,还特别适用于需要高性能和高可靠性的场景。总体来说,这是一款值得推荐的产品。

IPB17N25S3-100参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 14nC
Vgs-栅源极电压 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 107W
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 17A
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB17N25S3-100厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB17N25S3-100数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB17N25S3-100 IPB17N25S3-100数据手册

IPB17N25S3-100封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 1.66 ¥ 13.8278
30000+ $ 1.494 ¥ 12.445
50000+ $ 1.328 ¥ 11.0622
100000+ $ 1.245 ¥ 10.3709
库存: 10000
起订量: 10000 增量: 1000
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最小起订量为:10000
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