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IRLU3715ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40W(Tc) 20V 2.55V@ 250µA 11nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 11mΩ@ 15A,10V 49A 810pF@10V TO-251-3 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: 09Y-IRLU3715ZPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLU3715ZPBF

IRLU3715ZPBF概述


    产品简介


    产品类型: HEXFET 功率 MOSFET
    主要功能: 主要用于高频同步降压转换器,适用于计算机处理器电源、电信和工业应用中的高频隔离式直流到直流转换器。
    应用领域: 计算机、电信、工业自动化、电源管理和各种需要高频率和低损耗功率转换的场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDS (漏源电压):20V
    - VGS (栅源电压):±20V
    - 连续漏极电流 (VGS @ 10V):20A
    - 脉冲漏极电流:300A (1.6mm 从外壳)
    - 最大功耗:49W (TC = 25°C), 35W (TC = 100°C)
    - 热阻:RθJC (结到壳):3.75°C/W, RθJA (结到环境):50°C/W (PCB安装), 110°C/W
    - 静态特性
    - BVDSS (漏源击穿电压):20V
    - RDS(on) (漏源导通电阻):8.8-11mΩ (典型值),12.4-15.5mΩ (最大值)
    - VGS(th) (栅阈值电压):1.65-2.55V
    - Qg (总栅电荷):7.2-11nC
    - Ciss (输入电容):810pF
    - Coss (输出电容):270pF
    - Crss (反向传输电容):150pF
    - 雪崩特性
    - EAS (单脉冲雪崩能量):19mJ
    - IAR (雪崩电流):49A
    - EAR (重复雪崩能量):12mJ
    - 二极管特性
    - IS (连续源电流):1.0µA
    - VSD (二极管正向电压):1.0V
    - trr (反向恢复时间):11-17ns
    - Qrr (反向恢复电荷):3.5-5.3nC

    产品特点和优势


    - 超低栅极阻抗:有助于减少开关损耗。
    - 全面表征雪崩电压和电流:确保可靠性和耐用性。
    - 适用于高频同步降压转换器:适合计算机处理器的电源转换。
    - 适用于高频隔离式直流到直流转换器:广泛应用于电信和工业领域。
    - 无铅设计:符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 计算机处理器电源:通过HEXFET MOSFET实现高效、稳定的电源转换。
    - 电信和工业设备:用于电源模块中的高频隔离式直流到直流转换器。
    使用建议:
    - 在使用时,确保电路布局合理,以降低寄生电感和电容的影响。
    - 适当散热,避免过热。
    - 按照制造商推荐的焊接技术和推荐的焊盘设计进行组装,参见应用笔记 #AN-994。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持与各类高频逆变器和转换器的兼容,尤其是同步降压和隔离式直流到直流转换器。
    支持:
    - 厂商提供详细的焊接技术指南和应用笔记,帮助用户正确安装和使用产品。
    - 客户可以通过制造商的官方网站获取最新资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的散热片?
    - 解答:参考热阻参数(RθJA),根据实际工作环境计算所需的散热片尺寸。

    - 问题2:如何处理反向恢复引起的损失?
    - 解答:选择具有较低反向恢复电荷(Qrr)的产品,并优化电路设计以减少相关损耗。

    总结和推荐


    HEXFET 功率 MOSFET 在高频转换器中表现出色,尤其适用于计算机处理器电源和电信设备。其关键优势在于超低栅极阻抗、可靠的雪崩特性以及广泛的适用范围。为了最大限度发挥其性能,建议严格按照制造商的指导进行安装和使用。总体而言,该产品值得推荐用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

IRLU3715ZPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF@10V
通道数量 1
最大功率耗散 40W(Tc)
Id-连续漏极电流 49A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 15A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.55V@ 250µA
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-251-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLU3715ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLU3715ZPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLU3715ZPBF IRLU3715ZPBF数据手册

IRLU3715ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 3.0066
150+ ¥ 2.9327
200+ ¥ 2.8341
库存: 1394
起订量: 100 增量: 100
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最小起订量为:100
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