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IRF530NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRF530NPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF530NPBF

IRF530NPBF概述

    IRF530NPbF HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: IRF530NPbF 是一种N沟道HEXFET 功率MOSFET,它采用先进的处理技术制造,以实现每硅片面积上的极低导通电阻。这种产品因其快速开关能力和坚固耐用的设计而广受好评,适用于多种应用场合。
    主要功能: IRF530NPbF 是一种高级功率MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和高动态dv/dt评级。这些特性使得该产品非常适合用于电源转换和驱动应用。
    应用领域: 这种MOSFET广泛应用于工业控制、汽车电子、电源管理和其他需要高效率和可靠性的场合。

    2. 技术参数


    - 导通电阻 (RDS(on)): 90mΩ(VGS=10V, ID=9.0A)
    - 最大漏源电压 (V(BR)DSS): 100V(VGS=0V, ID=250µA)
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - 在25°C时连续:17A
    - 在100°C时连续:12A
    - 脉冲:60A
    - 最高工作温度 (TJ): 175°C
    - 热阻 (RθJC): 2.15°C/W
    - 热阻 (RθJA): 62°C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 340mJ(IAS=9.0A, L=2.3mH)

    3. 产品特点和优势


    - 先进的工艺技术: 极低的导通电阻,每硅片面积上的极高效率。
    - 动态dv/dt评级: 高动态dv/dt能力确保了更高的可靠性和更宽的应用范围。
    - 高可靠性: 可承受高达175°C的工作温度,适合恶劣的工作环境。
    - 快速开关: 快速的开关时间使得产品能够在高频应用中表现出色。
    - 全雪崩额定值: 可重复雪崩能量达到7.0mJ,提供了更高的安全性和可靠性。
    - 无铅设计: 符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制: 在工业自动化系统中,IRF530NPbF 用于驱动电机和其他负载,实现高效且可靠的电源转换。
    - 电源管理: 在开关电源中,利用其低导通电阻和快速开关特性,可以显著降低功耗并提高效率。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于工作温度较高,建议使用有效的散热措施,如安装散热器或风扇,以避免过热导致的故障。
    - 电路布局: 注意电路布局,减少寄生电感和电容,以充分发挥其高速开关特性。
    - 栅极驱动: 确保适当的栅极驱动电压和电流,以避免过高的栅极电压导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IRF530NPbF 采用TO-220封装,普遍适用于各种商业和工业应用。与大多数标准的驱动器和控制器兼容。
    - 技术支持: 国际整流器公司提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户解决应用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用外部散热器并优化电路布局以增强散热效果。
    - 问题: 开关过程中出现噪声。
    - 解决方案: 检查并优化电路的布线,特别是减少寄生电感和电容。
    - 问题: 启动延迟时间较长。
    - 解决方案: 调整栅极驱动电路,确保足够的驱动电流和电压。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - IRF530NPbF HEXFET 功率MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性及快速开关特性,在电源管理和工业控制等领域表现出色。
    - 先进的工艺技术和高耐温特性使其能够在严苛环境下稳定工作。
    - 丰富的技术文档和支持使用户能够轻松集成到现有设计中。
    推荐:
    - 我强烈推荐使用IRF530NPbF,特别是在需要高效率和高可靠性的应用场景中。

IRF530NPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 17A
栅极电荷 37nC@ 10 V
最大功率耗散 70W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 9A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF530NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF530NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF530NPBF IRF530NPBF数据手册

IRF530NPBF封装设计

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