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IPG20N04S412ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 41W 20V 4V@ 15µA 18nC@ 10V 2个N沟道 40V 12.2mΩ@ 17A,10V 20A 1.47nF@25V SON 贴片安装 1mm(高度)
供应商型号: ET-2725853
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1概述

    # IPG20N04S4-12 OptiMOS™-T2 功率晶体管技术手册

    产品简介


    IPG20N04S4-12 是一种OptiMOS™-T2 功率晶体管,具有双N沟道增强型功率晶体管的特点。该器件通过AEC-Q101认证,并且具有MSL1级别的高温峰值回流能力(最高260°C),能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。此外,该产品符合RoHS标准,是一款绿色环保的产品。IPG20N04S4-12在生产过程中经过100%雪崩测试,确保其可靠性。

    技术参数


    最大额定值
    - 持续漏极电流:ID(单通道,TC=25°C,VGS=10V)= 20A
    - 脉冲漏极电流:ID(单通道,TC=100°C,VGS=10V)= 20A
    - 雪崩能量:EAS(ID=10A)= 80mJ
    - 雪崩电流:IAS = 15A
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 功耗:PTOT(单通道,TC=25°C)= 41W
    - 工作及存储温度:TJ, TSTG = -55°C 至 +175°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS(VGS=0V,ID=1mA)= 40V
    - 栅阈值电压:VGS(th)(VDS=VGS,ID=15μA)= 2.0V 至 4.0V
    - 栅泄漏电流:IGSS(VGS=20V,VDS=0V)= ≤100nA
    - 漏源导通电阻:RDS(on)(VGS=10V,ID=17A)= 11.1mΩ 至 12.2mΩ
    - 输入电容:CISS = 1130pF 至 1470pF
    - 输出电容:COSS = 300pF 至 390pF
    - 反向传输电容:CRSS = 9pF 至 21pF

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101 认证:适用于汽车电子领域。
    2. 高耐温性:可在高达175°C的温度下运行。
    3. 环保设计:RoHS 合规,无铅焊接。
    4. 可靠耐用:100%雪崩测试保证产品可靠性。
    5. 封装紧凑:采用PG-TDSON-8-4 封装,适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    IPG20N04S4-12 广泛应用于电动汽车、工业控制、电源转换等领域。例如,在电动汽车中,可以作为电机控制器的关键组件;在工业控制系统中,用于驱动马达和执行器。对于使用该器件的应用场合,以下是一些建议:
    1. 温度管理:由于该器件的高温性能较好,建议在高负载条件下进行充分散热,避免过热导致性能下降。
    2. 电路布局:建议采用低电感引脚布局,减少电磁干扰(EMI)。
    3. 保护措施:设置适当的保护电路,如过流保护和过热保护,以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    IPG20N04S4-12 与多数现有的电源管理系统兼容,可直接替换现有解决方案中的同类器件。此外,Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档和工程师服务,以帮助客户进行应用开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 检查栅源电压是否超过额定值。 |
    | 导通电阻异常 | 检查工作温度是否在允许范围内。 |
    | 温度过高 | 检查散热措施是否有效。 |

    总结和推荐


    综上所述,IPG20N04S4-12 OptiMOS™-T2 功率晶体管凭借其优异的电气特性和高可靠性,在多个应用场景中展现出色的表现。特别是其广泛的温度适应性和环保设计使其成为现代电力电子系统的理想选择。因此,强烈推荐在各种严苛环境下使用该器件,尤其适用于需要高可靠性、高效率的应用场合。

IPG20N04S412ATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 15µA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12.2mΩ@ 17A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF@25V
栅极电荷 18nC@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 41W
长*宽*高 1mm(高度)
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPG20N04S412ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N04S412ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S412ATMA1 IPG20N04S412ATMA1数据手册

IPG20N04S412ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.7767 ¥ 15.0128
10+ $ 1.1056 ¥ 9.3427
100+ $ 0.8067 ¥ 6.8163
500+ $ 0.6981 ¥ 5.8988
1000+ $ 0.63 ¥ 5.3235
5000+ $ 0.5497 ¥ 4.6449
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