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IRLML6244TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 6.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRLML6244TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLML6244TRPBF

IRLML6244TRPBF概述

    IRLML6244TRPbF HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML6244TRPbF 是一款来自 International Rectifier(现为 Infineon Technologies 的一部分)的 HEXFET Power MOSFET,属于 Micro3 系列(SOT-23 封装)。这款 MOSFET 主要用于负载/系统开关,适用于多种应用领域,如电信、消费电子和工业自动化。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 连续漏电流 \( ID \) (在 \( V{GS} \) = 10V 下): 5.1A (在 25°C 下),2.3A (在 70°C 下)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 未提供
    - 最大功率耗散 \( PD \) (在 25°C 下): 1.3W,在 70°C 下: 0.8W
    - 接触至环境热阻 \( R{\theta JA} \): 100°C/W
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12V
    - 工作温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 开启电压 \( V{GS(th)} \): 0.9V 至 1.1V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (在 \( V{GS} \) = 4.5V 下): 21.0mΩ
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (在 \( V{GS} \) = 2.5V 下): 27.0mΩ
    - 源漏击穿电压 \( V(BR){DSS} \): 20V
    - 输入电容 \( C{iss} \): 700pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 140pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 98pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 \( R{DS(on)} \):低于 21mΩ,这有助于降低功耗和发热。
    - 标准 SOT-23 封装:确保多供应商兼容性。
    - 环保设计:无铅、无溴化物和无卤素,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    IRLML6244TRPbF MOSFET 广泛应用于各种电源管理电路和负载开关场合。以下是一些典型的应用案例和建议:
    - 负载开关:在电源管理和电动机驱动系统中,可以有效控制电流流动。
    - 电池管理系统:用于监测和调节电池的充放电过程。
    - 通信设备:确保电源供应的稳定性和效率。
    使用建议:
    - 热管理:由于 \( R{\theta JA} \) 较高,应考虑良好的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    - 栅极驱动:确保合适的栅极驱动电压和电流,以避免过度驱动引起的栅极损坏。

    兼容性和支持


    IRLML6244TRPbF 与常见的 SOT-23 封装兼容,适用于标准电路板设计。制造商提供详尽的技术文档和支持,可通过官方网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过热导致的性能下降
    - 解决办法:确保合理的散热设计,增加散热片或采用水冷等方式。
    - 问题:栅极驱动不当
    - 解决办法:使用合适的栅极驱动电路,确保 \( V{GS} \) 不超过额定值。

    总结和推荐


    IRLML6244TRPbF HEXFET Power MOSFET 以其低导通电阻、高可靠性及环保特性在众多应用中表现出色。它适合于需要高效、稳定和环保的电源管理和控制系统。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

IRLML6244TRPBF参数

参数
最大功率耗散 1.3W(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@ 6.3A,4.5V
栅极电荷 8.9nC@ 4.5 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 6.3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@16V
Vds-漏源极击穿电压 20V
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLML6244TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLML6244TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF数据手册

IRLML6244TRPBF封装设计

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10+ ¥ 0.5411
100+ ¥ 0.4649
500+ ¥ 0.4343
1000+ ¥ 0.4075
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