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IPI80N04S4-03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 94W(Tc) 20V 4V@ 53µA 66nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.7mΩ@ 80A,10V 80A 5.26nF@25V I2PAK 通孔安装 10.2mm*4.5mm*9.45mm
供应商型号: Q-IPI80N04S4-03
供应商: 期货订购
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPI80N04S4-03

IPI80N04S4-03概述


    产品简介


    OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管
    OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管 是一种高性能的电子元器件,适用于各种高功率应用场景。它具备良好的热稳定性和可靠性,能够在广泛的温度范围内工作。本产品采用先进的半导体工艺技术制造,具有低导通电阻(RDS(on)),并能承受高脉冲电流和雪崩能量。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 类型:N沟道增强型
    - 雪崩耐量:通过100%雪崩测试
    - AEC认证
    - 绿色产品(符合RoHS标准)
    - 最大工作温度:175°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 电气特性:
    - 连续漏极电流:ID = 80A(TC = 25°C,VGS = 10V);ID = 80A(TC = 100°C,VGS = 10V)
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse = 320A(TC = 25°C)
    - 雪崩能量:EAS = 200mJ(ID = 40A)
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 40V(VGS = 0V,ID = 1mA)
    - 导通电阻:RDS(on) = 3.3mΩ(VGS = 10V,ID = 80A)
    - 封装规格:
    - 封装类型:PG-TO263-3-2, PG-TO262-3-1, PG-TO220-3-1
    - 排序代码:4N0403
    - 热特性:
    - 结至壳热阻:RthJC ≤ 1.6K/W
    - 结至环境热阻:RthJA ≤ 62K/W(PCB为6cm²铜层)

    产品特点和优势


    OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管 的显著特点是其极低的导通电阻和高电流处理能力。这使得它在各种高功率应用中表现出色,例如电源转换、电机驱动、电池管理和工业控制等领域。它的高雪崩耐量使其能够应对瞬态过压情况,进一步提高系统的可靠性和耐用性。
    此外,该产品的绿色属性(RoHS合规)和通过AEC认证,也使其在市场上具有较高的竞争力,特别是在汽车电子和工业自动化领域。

    应用案例和使用建议


    OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管 广泛应用于多种电子系统,如开关电源、直流-直流转换器、逆变器和马达控制器。这些应用要求组件具备高效率和高可靠性,而该晶体管正好满足这些需求。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,应考虑增加散热措施以确保热稳定性。
    2. 在电路设计过程中,尽量选择合适的栅极电阻以减少栅极振铃现象。
    3. 避免在超过最大额定值的情况下运行,特别是在高电流和高电压状态下。

    兼容性和支持


    OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管 可与其他主流电子元器件和设备兼容。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。客户可以访问 Infineon Technologies 官方网站获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻较高
    - 解决方法: 确保正确的栅极电压(VGS)设置,并使用较低阻值的栅极电阻以减少内部电阻影响。

    2. 问题:雪崩能量不足导致损坏
    - 解决方法: 检查系统设计中的瞬态过压防护措施,并确保系统能够有效管理瞬间高能量冲击。

    总结和推荐


    综上所述,OptiMOS®-T2 N沟道增强型功率晶体管 具备优异的电气特性和可靠性,适用于需要高效率和高电流处理能力的应用场合。我们强烈推荐使用此产品,尤其是对于要求高性能和可靠性的电源管理和控制系统。
    请注意,在使用前仔细阅读技术手册,并遵循所有安全指南和操作规范,以确保最佳的使用效果。

IPI80N04S4-03参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 80A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.26nF@25V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 94W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 53µA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 66nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.2mm*4.5mm*9.45mm
通用封装 I2PAK
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPI80N04S4-03厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPI80N04S4-03数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N04S4-03 IPI80N04S4-03数据手册

IPI80N04S4-03封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 1.82 ¥ 15.1606
15000+ $ 1.638 ¥ 13.6445
25000+ $ 1.456 ¥ 12.1285
50000+ $ 1.365 ¥ 11.3705
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 500
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最小起订量为:5000
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