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IRFB23N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 23 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 18E1-IRFB23N15DPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB23N15DPBF

IRFB23N15DPBF概述


    产品简介


    IRFB23N15DPbF, IRFS23N15DPbF, IRFSL23N15DPbF 是由Infineon Technologies生产的高性能SMPS MOSFET(开关电源金属氧化物半导体场效应晶体管),也称为HEXFET功率MOSFET。这些器件广泛应用于高频直流到直流转换器,特别是电信设备中的48V输入DC-DC主动钳位复位前向转换器。

    技术参数


    - 电压和电流参数
    - 最大漏源击穿电压 \(V{DSS}\): 150V
    - 最大漏极连续电流 \(I{D}@TC = 25°C\): 23A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 92A
    - 最大结温 \(TJ\): -55°C 至 +175°C
    - 功率和热参数
    - 最大功率耗散 \(PD@TA = 25°C\): 3.8W
    - 结至外壳热阻 \(R{θJC}\): 1.1°C/W
    - 外壳至散热器热阻 \(R{θCS}\): 0.50°C/W
    - 结至环境热阻 \(R{θJA}\): 62°C/W
    - 电容和充电参数
    - 总栅极电荷 \(QG\): 37nC 到 56nC
    - 栅极至源极电荷 \(Q{GS}\): 9.6nC 到 14nC
    - 栅极至漏极电荷 \(Q{GD}\): 19nC 到 29nC
    - 其他特性
    - 前向跨导 \(g{fs}\): 11S
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 150ns 到 220ns
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 260mJ

    产品特点和优势


    - 低栅极至漏极电荷:减少开关损耗,适用于高频应用。
    - 完全表征的电容特性:简化设计,提供了更精确的设计参数,减少设计风险。
    - 完全表征的雪崩电压和电流特性:保证了更高的可靠性和长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用场景:电信设备中的48V输入DC-DC主动钳位复位前向转换器。
    - 使用建议:
    - 在设计时考虑功率耗散和热管理,确保散热系统有效。
    - 使用推荐的封装和焊接技术,如FR-4材料的1英寸方形PCB。
    - 注意在高温度下运行时的性能下降,通过降低工作频率或增加散热来优化。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件适用于多种封装,包括D2Pak、TO-220AB和TO-262,适用于各种电路板设计。
    - 支持和维护:Infineon提供详细的应用笔记和技术支持,包括AN-994中推荐的焊点技术和封装信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过高的栅极电压导致的损坏?
    - 解决方案:设置适当的栅极电阻,例如RG = 25Ω,以限制栅极电压。

    - 问题:如何防止器件在高瞬态条件下失效?
    - 解决方案:采用有效的热管理和设计缓冲电路,限制脉冲宽度和占空比,确保最大结温不超出安全范围。

    总结和推荐


    IRFB23N15DPbF, IRFS23N15DPbF, IRFSL23N15DPbF 是高性能的SMPS MOSFET,具有优秀的性能和可靠性。适用于高频直流到直流转换器应用,特别是在电信设备中。产品的低栅极至漏极电荷和完全表征的电容特性显著提高了设计的简便性和稳定性。强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的设计项目。

IRFB23N15DPBF参数

参数
栅极电荷 56nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 23A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 14A,10V
最大功率耗散 3.8W(Ta),136W(Tc)
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

IRFB23N15DPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB23N15DPBF数据手册

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IRFB23N15DPBF封装设计

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