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IPN80R2K0P7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS™系列, Vds=700 V, 3 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: REB-TMOS2094
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPN80R2K0P7ATMA1

IPN80R2K0P7ATMA1概述

    800V CoolMOS™ P7 Power Transistor IPN80R2K0P7

    1. 产品简介


    IPN80R2K0P7是一款由Infineon Technologies设计的800V超级结功率晶体管,属于CoolMOS™ P7系列。这款MOSFET采用PG-SOT223封装,其主要功能包括高效的电源转换和出色的开关性能。IPN80R2K0P7广泛应用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频系统、辅助电源及工业电源等领域。同时,它也适用于消费类应用中的PFC(功率因数校正)阶段和太阳能逆变器。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - VDS(漏源击穿电压):800V @ Tj=25°C
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压):800V @ Tj=25°C
    - 电流参数
    - 最大连续漏极电流(ID):3A @ TC=25°C
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):6.0A @ TC=25°C
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):最大2.0Ω @ VGS=10V, ID=0.94A, Tj=25°C
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):最大175pF @ VGS=0V, VDS=500V, f=250kHz
    - 输出电容(Coss):最大4.0pF @ VGS=0V, VDS=500V, f=250kHz
    - 热参数
    - 结-焊点热阻(RthJS):19.5°C/W
    - 结-环境热阻(RthJA):160°C/W(无铜散热板)
    - 结-环境热阻(RthJA):75°C/W(40mm×40mm×1.5mm FR4 PCB上安装6cm²铜层)
    - 其他参数
    - 门源电压(VGS):±20V(静态);±30V(AC)

    3. 产品特点和优势


    - 最佳FOM(品质因子)RDS(on) Eoss:结合了低RDS(on)和低Eoss,实现了高效能转换。
    - 低栅极电荷(Qg,typ):典型值为9nC,降低了驱动损耗。
    - 低门阈值电压(VGS(th)):典型值为3V,且VGS(th)变化小,便于驱动和并联。
    - 集成ESD保护二极管:增强了生产过程中的可靠性和减少返修率。
    - 全面优化的产品组合:符合JEDEC标准,适合工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 硬开关和软开关反激拓扑结构:适用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频系统、辅助电源及工业电源等应用。
    使用建议:
    - 在MOSFET并联时,建议使用磁珠或独立的顶层模块以提高并联效果。
    - 注意在高频和高温下使用时,要避免超过其最大额定温度和电压限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPN80R2K0P7具有广泛的适用性,可与其他电子元器件和设备兼容。
    - 支持:Infineon提供了详细的技术文档和在线资源(如Infineon官网),以便用户获得技术支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题1:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据具体应用和负载条件,通过测试电路确定最合适的驱动电阻值,确保开关速度和效率。
    常见问题2:如何优化并联效果?
    - 解决方案:并联使用时,建议增加磁珠或者采用独立的顶层模块来确保均衡电流分配。

    7. 总结和推荐


    综合评估:IPN80R2K0P7凭借其优秀的性能指标和可靠性,在多种应用场合中表现出色。它不仅具备高效率、低功耗的特点,还具有易驱动和生产成本低的优势。因此,我们强烈推荐在上述应用领域中使用这款MOSFET。

IPN80R2K0P7ATMA1参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 9nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 50µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 6W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 175pF@500V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 940mA,10V
Id-连续漏极电流 3A
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPN80R2K0P7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPN80R2K0P7ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1数据手册

IPN80R2K0P7ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.2602 ¥ 2.2823
6000+ $ 0.2535 ¥ 2.2228
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