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IRFF9130

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 25W 20V 4V 34.8nC(Max) @ 10V 100V 320mΩ@ 10V 800pF@ 25V 通孔安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFF9130

IRFF9130概述

    # HEXFET® 技术:P-通道功率MOSFET晶体管的高级特性

    产品简介


    基本介绍
    HEXFET® 是国际整流器公司(International Rectifier)推出的先进系列高可靠性功率MOSFET晶体管。作为P-通道设计,这些器件以其高效能几何结构和独特的工艺技术而闻名。它们具有低导通电阻和高跨导的优势,非常适合应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能量脉冲电路等领域。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:低导通电阻、高跨导、电压控制、快速开关及温度稳定。
    - 应用领域:开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能量脉冲电路。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | ID1 | VGS=-10V, TC=25°C时连续漏极电流 | -6.5 | A |
    | ID2 | VGS=-10V, TC=100°C时连续漏极电流 | -4.1 | A |
    | IDM | TC=25°C时脉冲漏极电流 | -25 | A |
    | PD | TC=25°C时最大耗散功率 | 25 | W |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 92 | mJ |
    | IAR | 雪崩电流 | -6.5 | A |
    | EAR | 反复雪崩能量 | 2.5 | mJ |
    | dv/dt | 峰值二极管恢复dv/dt | -5.5 | V/ns |
    | TJ | 工作结温和存储温度范围 | -55 to +150 | °C |
    热阻
    | 符号 | 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | RθJC | 结至外壳热阻 | - | - | 5.0 | °C/W |
    | RθJA | 结至环境热阻(典型插件安装) | - | - | 175 | °C/W |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 测试条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | BVDSS | 漏极至源极击穿电压 | -100 | - | - | VGS=0V, ID=-1.0mA |
    | ΔBVDSS/ΔTJ | 击穿电压温度系数 | - | -0.10 | - | 25°C, ID=-1.0mA |
    | RDS(on) | 静态漏极至源极导通电阻 | - | -0.30 | - | VGS=-10V, ID=-4.1A, ID=-6.5A |
    | VGS(th) | 栅极阈值电压 | -2.0 | - | -4.0 | VDS=VGS, ID=-250µA |
    | IDSS | 零栅压漏极电流 | - | - | -25 | µA VDS=-80V, VGS=0V |
    | IGSS | 栅源漏电 | - | - | -100 | nA VGS=-20V |
    | QG | 总栅极电荷 | 14.7 | - | 34.8 | nC |

    产品特点和优势


    HEXFET® 功率MOSFET晶体管的主要特点如下:
    - 反复雪崩和dv/dt等级:确保高可靠性和稳定性。
    - 密封结构:提供更长的使用寿命和更高的可靠性。
    - 简单的驱动需求:易于集成到各种电路设计中。
    - 静电放电(ESD)等级:达到MIL-STD-750标准Class 1C。
    这些特性使其成为电力电子应用的理想选择,在恶劣环境中也能表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:利用低导通电阻和高耐压性能,有效提高效率。
    2. 电机控制:实现精确的电流控制和快速响应时间。
    3. 逆变器和斩波器:确保稳定的工作状态和高效的能源转换。
    4. 音频放大器:提供低噪声和高保真度的音频输出。
    5. 高能量脉冲电路:能够在高能量条件下保持良好的性能。
    使用建议
    - 散热管理:使用合适的散热片以维持器件工作温度在安全范围内。
    - 负载匹配:根据具体应用要求选择合适的工作电流和电压。
    - 外围电路设计:合理配置栅极电阻和电容以优化开关特性。

    兼容性和支持


    兼容性
    HEXFET® 功率MOSFET晶体管与多种标准封装和电气接口兼容,可以方便地替换现有的传统器件。此外,它也符合MIL-PRF-19500/5642标准,适用于军用和工业级应用。
    支持和服务
    国际整流器公司为用户提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南、设计工具和故障诊断服务。如果您有任何疑问或需要进一步的技术咨询,请联系当地销售代表或访问官方网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何处理过高的结温?
    - 确保有效的散热措施,例如增加散热片或使用强制冷却风扇。
    2. 雪崩保护电路失效怎么办?
    - 核查电路设计,确保正确的雪崩能量吸收路径和容量。
    3. 栅极电压不稳如何解决?
    - 使用稳定的电源供应并避免引入电磁干扰。
    解决方案
    - 采用适当的冷却方法并定期监测温度变化。
    - 在关键节点上安装合适的保护电路和保险丝。
    - 确保信号线的稳定性和抗干扰能力,可添加滤波器以消除噪音。

    总结和推荐


    总体评价
    HEXFET® 功率MOSFET晶体管凭借其卓越的性能和广泛的适用性,成为高性能电力电子应用的理想选择。它具备低导通电阻、高耐压能力和快速响应速度,可在严苛的工作环境下保持稳定运行。此外,其优异的封装和兼容性使其易于集成到现有系统中。
    推荐意见
    我们强烈推荐使用HEXFET® 功率MOSFET晶体管,特别是对于需要高效、可靠的电力转换应用。它的多功能性和优越的电气特性使其成为众多工程师和设计师的首选。如果您正在寻找一个强大且灵活的解决方案,HEXFET® 绝对是您值得信赖的选择。

IRFF9130参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 25W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF@ 25V
栅极电荷 34.8nC(Max) @ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
4.54mm(Max)
安装方式 通孔安装

IRFF9130厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFF9130数据手册

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IRFF9130封装设计

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