处理中...

首页  >  产品百科  >  IPA80R310CEXKSA1

IPA80R310CEXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 35W(Tc) 3.9V@1mA 91nC@ 10 V 1个N沟道 800V 310mΩ@ 11A,10V 6.8A 2.32nF@100V 通孔安装
供应商型号: Q-IPA80R310CEXKSA1
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA80R310CEXKSA1

IPA80R310CEXKSA1概述

    # 800V CoolMOS™ CE Power Transistor IPA80R310CE 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    IPA80R310CE 是一款基于 CoolMOS™ CE 技术的高性能 800V 功率 MOSFET。CoolMOS™ CE 技术以其革命性的高压能力结合卓越的安全性、高效能及耐用性著称,能够在最高效的设计水平下提供稳定的性能表现。此型号的器件专为消费级应用设计,具备无铅镀层,符合 RoHS 和无卤化合物标准,从而满足严格的环保要求。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:
    - 高电压处理能力(最高 800V)。
    - 极高的 dv/dt 能力,适用于快速开关场景。
    - 低栅极电荷,实现高效能切换。
    - 较低的有效电容,提高动态性能。
    - 应用领域:
    - LED 照明。
    - 适配器电路(特别是准谐振反激拓扑结构)。
    同时,手册特别提醒,在并联使用 MOSFET 时,通常建议通过使用铁氧体磁珠或者独立的顶部二极管组来实现更稳定的操作。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术规格和参数:
    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 \(V{DS}\) | 800 | V |
    | 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\) | 310 | mΩ |
    | 栅极总电荷 \(Qg\) | 91 | nC |
    | 脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\) | 51 | A |
    | 输出电容 \(C{oss}\)(典型值)| 90 | pF |
    | 最高工作温度 | 150 | °C |
    此外,该器件采用 TO-220FP 封装,具有以下针脚定义:
    - 漏极引脚 (Pin 2),散热片连接至源极(Pin 3)。
    - 栅极引脚(Pin 1)。

    产品特点和优势


    特点
    1. 高可靠性:具备抗过压能力和快速 dv/dt 能力,适合恶劣的工作环境。
    2. 高效率:低栅极电荷和低有效电容确保高效的能量转换。
    3. 绿色环保:采用无铅镀层设计,符合 RoHS 和无卤化合物规范。
    4. 优化设计:适合消费级应用的低成本系统集成。
    优势
    - 在 LED 照明和适配器电路中,其高效率和紧凑封装显著降低了整体功耗和成本。
    - 出色的 dv/dt 和瞬态性能使其非常适合高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. LED 照明电源管理:利用准谐振反激拓扑结构进行高效驱动,适用于各种室内照明场景。
    2. 适配器设计:广泛用于小功率的电源适配器,如手机充电器和笔记本电脑充电模块。
    使用建议
    - 并联操作:当需要并联多个器件时,建议使用铁氧体磁珠或独立二极管组,以减少寄生效应。
    - 散热设计:由于其较高的功率密度,建议通过良好的 PCB 设计实现有效的散热。

    兼容性和支持


    兼容性
    IPA80R310CE 与大多数主流的开关电源模块兼容,可无缝集成到现有的设计中。同时,其统一的 TO-220FP 封装使其能够替代许多传统 MOSFET 器件。
    支持
    Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和仿真工具支持,包括:
    - CoolMOS™ CE 官方网页([www.infineon.com](https://www.infineon.com))。
    - 相关应用笔记和仿真模型下载链接。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 确保良好的散热设计,增加 PCB 散热区域。 |
    | 脉冲电流超限 | 检查负载条件,避免超出最大允许范围。 |
    | 开关时间过长 | 降低外部栅极电阻值,优化开关速度。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IPA80R310CE 是一款面向高功率密度应用的高性能 MOSFET,其卓越的能效、耐用性和环保特性使其成为消费电子领域的理想选择。它不仅在 LED 照明和适配器设计中表现出色,还凭借出色的热管理和可靠性广受好评。
    推荐
    强烈推荐 IPA80R310CE 用于需要高电压、高效率和紧凑设计的应用场景。对于寻求高性价比和高可靠性的工程师来说,这款器件是无可争议的首选。

    如果您有任何疑问或需要进一步技术支持,请访问 Infineon 官网或联系当地技术支持团队!

IPA80R310CEXKSA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.9V@1mA
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 6.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 310mΩ@ 11A,10V
最大功率耗散 35W(Tc)
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.32nF@100V
栅极电荷 91nC@ 10 V
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPA80R310CEXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA80R310CEXKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R310CEXKSA1 IPA80R310CEXKSA1数据手册

IPA80R310CEXKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
86+ $ 1.643 ¥ 13.916
库存: 68
起订量: 309 增量: 0
交货地:
最小起订量为:86
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336