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IPD180N10N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W 20V 19nC@ 10V 1个N沟道 100V 18mΩ@ 10V 1.35nF@ 50V TO-252-3 贴片安装,黏合安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD180N10N3 G

IPD180N10N3 G概述

    IPD180N10N3 G OptiMOSTM3 Power Transistor

    产品简介


    IPD180N10N3 G是一款采用OptiMOSTM3技术的N沟道功率晶体管。其主要用于高频率开关应用和同步整流。由于其优秀的电气特性和紧凑的设计,它在多种应用场景中表现出色,如电机控制、电源管理、工业自动化等领域。

    技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 100 V
    - 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2 V 至 3.5 V
    - 栅极泄漏电流 \(I{GSS}\): ≤100 nA @ 20 V
    - 最大漏极连续电流 \(ID\): 43 A @ 25 °C, 30 A @ 100 °C
    - 瞬态漏极电流 \(I{D,pulse}\): 172 A @ 25 °C
    - 击穿能量 \(E{AS}\): 50 mJ @ 33 A, 25 W
    - 最大功率耗散 \(P{tot}\): 71 W @ 25 °C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 \(R{thJC}\): 2.1 K/W
    - 结至环境热阻 \(R{thJA}\): 75 K/W (最小足迹)
    - 结至环境热阻 \(R{thJA}\): 50 K/W (6 cm² 散热面积)
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1350 pF 至 1800 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 237 pF 至 315 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 11 pF
    - 开通延迟时间 \(t{d(on)}\): 12 ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\): 19 ns
    - 开通时间 \(tr\): 12 ns
    - 关断时间 \(tf\): 5 ns
    - 栅极充电特性
    - 栅源充电 \(Q{gs}\): 7 nC
    - 栅极到漏极充电 \(Q{gd}\): 4 nC
    - 开关总充电 \(Qg\): 19 nC 至 25 nC
    - 逆向二极管
    - 连续正向电流 \(IS\): 43 A
    - 脉冲正向电流 \(I{S,pulse}\): 172 A
    - 正向电压 \(V{SD}\): 1 V 至 1.2 V
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 55 ns
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 92 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:R DS(on) 非常低,适合高频开关应用。
    2. 高耐温能力:工作温度范围广,最高可达175°C。
    3. 环保材料:无铅电镀,符合RoHS标准。
    4. 可靠的可靠性测试:通过JEDEC认证,适用于目标应用。
    5. 快速响应:具有出色的开关速度,能有效减少损耗。

    应用案例和使用建议


    IPD180N10N3 G通常应用于电机控制、开关电源、工业自动化系统中。例如,在一个直流电机控制器中,它可作为高效的开关器件,提升系统的整体效率和稳定性。为了最大化其性能,建议:
    - 在高温环境下使用时,考虑增加散热措施。
    - 选择合适的外部栅极电阻以确保最佳的开关性能。
    - 使用并联电容器来降低输入电容的影响。

    兼容性和支持


    IPD180N10N3 G与常见的电路板设计兼容,支持标准的TO-252封装。Infineon提供详尽的技术文档和持续的技术支持,以帮助用户在设计和调试过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 高温运行导致过热:增加散热片或使用更大的散热面积。
    2. 开关损耗高:调整外部栅极电阻以优化开关性能。
    3. 输出波动较大:检查电容器的选择和布局,避免不必要的电容影响。

    总结和推荐


    IPD180N10N3 G是一款高性能的N沟道功率晶体管,特别适合需要高频开关和同步整流的应用场景。其低导通电阻和高耐温能力使其成为许多应用的理想选择。此外,良好的热管理和可靠的品质使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效、稳定运行的场合。

IPD180N10N3 G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.35nF@ 50V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
栅极电荷 19nC@ 10V
最大功率耗散 71W
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPD180N10N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD180N10N3 G数据手册

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