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BFR182WH6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 250mW 2V 20V 12V 35mA SOT-323 贴片安装 2.9mm*1.3mm*900μm
供应商型号: 30C-BFR182WH6327XTSA1 SOT-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1概述

    电子元器件产品技术手册:BFR182W

    产品简介


    BFR182W是一款低噪声硅双极射频晶体管,特别适用于低噪声、高增益宽带放大器。它能在1mA到20mA的集电极电流范围内提供出色的性能。此产品符合无铅(RoHS合规)和无卤素包装标准,具有可见引脚,符合AEC-Q101标准的资格报告可用。需要注意的是,它是一个静电放电敏感器件,在处理时需要遵循预防措施。

    技术参数


    以下是BFR182W的关键技术参数:
    - 电气特性:
    - 直流特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V(BR)CEO \): 12V
    - 集电极-发射极截止电流 \( I{CES} \): 1nA (典型值)
    - 集电极-基极截止电流 \( I{CBO} \): 1nA (最大值)
    - 发射极-基极截止电流 \( I{EBO} \): 50nA (最大值)
    - 直流电流增益 \( hFE \): 70-140 (典型值)

    - 交流特性:
    - 转换频率 \( fT \): 8GHz (典型值)
    - 集电极-基极电容 \( C{cb} \): 0.34-0.5pF
    - 集电极-发射极电容 \( C{ce} \): 0.26pF (最大值)
    - 发射极-基极电容 \( C{eb} \): 0.8pF (最大值)
    - 最小噪声系数 \( NF{min} \): 0.9dB (典型值)
    - 最大稳定功率增益 \( Gms \): 19dB (典型值)
    - 可用最大功率增益 \( Gma \): 12.5dB (典型值)
    - 热阻:
    - 结点到焊接点热阻 \( R{thJS} \): 240K/W
    - 额定值:
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 12V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CES} \): 20V
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 20V
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 2V
    - 集电极电流 \( IC \): 35mA
    - 总功率耗散 \( P{tot} \): 250mW (最大值)
    - 工作环境:
    - 结温 \( TJ \): 150°C
    - 环境温度 \( TA \): -65...150°C
    - 存储温度 \( T{Stg} \): -65...150°C

    产品特点和优势


    - 低噪声:BFR182W的最小噪声系数仅为0.9dB,非常适合要求低噪声性能的应用。
    - 高增益宽带:在不同频率下的功率增益表现优异,尤其在高频段下表现出色。
    - 可靠性:通过AEC-Q101标准的资格报告,保证了在汽车和其他工业应用中的可靠性。
    - 环境友好:采用无铅(RoHS合规)和无卤素包装,符合现代环保标准。

    应用案例和使用建议


    BFR182W广泛应用于各种通信设备和雷达系统中的低噪声放大器。例如,在移动通信基站中作为前端低噪声放大器,能显著提高信号接收质量。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保电路设计能够处理较高的频率响应。
    - 使用适当的散热措施以避免过热,特别是当集电极电流接近额定值时。

    兼容性和支持


    BFR182W采用SOT323封装,易于集成到现有设计中。Infineon Technologies提供了详尽的技术支持文档和在线资源,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何选择合适的驱动电流?
    - 解决方案: 根据具体应用需求,参考电气特性表中的直流电流增益 \( hFE \),选择合适的驱动电流以达到最佳性能。
    - 问题: 如何正确安装以避免静电放电?
    - 解决方案: 在处理和安装过程中,务必采取防静电措施,如佩戴防静电手环,确保工作台接地良好。

    总结和推荐


    总体来看,BFR182W是一款高性能的低噪声硅双极射频晶体管,具有出色的噪声性能和高增益宽带特性。它在低噪声放大器应用中表现尤为出色,适合用于各种通信设备和雷达系统。鉴于其可靠性和广泛的适用范围,我们强烈推荐BFR182W作为高性能射频组件的首选。
    以上是关于BFR182W的技术手册概述,希望对您的研究和应用有所帮助。

BFR182WH6327XTSA1参数

参数
集电极电流 35mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
晶体管类型 NPN
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 250mW
VCBO-最大集电极基极电压 20V
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 2V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*900μm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BFR182WH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFR182WH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1数据手册

BFR182WH6327XTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.7513
200+ ¥ 0.4851
1500+ ¥ 0.4213
3000+ ¥ 0.3729
45000+ ¥ 0.3696
60000+ ¥ 0.3652
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