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IRFSL4410ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=100 V, 97 A, I2PAK (TO-262)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRFSL4410ZPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFSL4410ZPBF

IRFSL4410ZPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管,广泛应用于各种高效率电力转换系统中。其核心功能在于高效地控制和调节电力流动,特别适用于同步整流、不间断电源、高速电力开关及硬开关电路和高频电路。产品型号包括 IRFS4410ZPbF(D2Pak 封装)、IRFB4410ZPbF(TO-220AB 封装)和 IRFSL4410ZPbF(TO-262 封装)。

    2. 技术参数


    以下是 HEXFET® Power MOSFET 的关键技术规格:
    - VDSS(漏源击穿电压):100V
    - RDS(on)(导通电阻):典型值 7.2mΩ,最大值 9.0mΩ
    - ID(连续漏极电流):97A(硅限值)
    - IDM(脉冲漏极电流):69A
    - PD(最大功耗):242W(TA = 25°C)
    - TJ(操作结温):-55°C 至 +175°C
    - IGSS(栅源前向泄漏电流):≤100nA
    - Qg(总栅极电荷):典型值 83nC
    - Qrr(反向恢复电荷):典型值 53nC
    - Coss(输出电容):340pF

    3. 产品特点和优势


    - 增强的坚固性:HEXFET® Power MOSFET 在门级、雪崩及动态 dv/dt 方面具有更好的坚固性。
    - 完全特征化的电容和雪崩安全区:提供了出色的瞬态热阻抗和重复雪崩能量。
    - 环保材料:符合 RoHS 标准,无卤素,适合绿色电子应用。
    - 增强的体二极管性能:提高了 dv/dt 和 dI/dt 能力。

    4. 应用案例和使用建议


    该 MOSFET 广泛应用于多种高效率电力转换系统中。例如,在 SMPS(开关模式电源供应)中用于高效率同步整流,在 UPS 中用于不间断电源转换,以及在高频和硬开关电路中实现高速电力开关。
    使用建议:
    - 散热管理:确保良好的散热措施,以避免过高的结温导致性能下降。
    - 电容匹配:根据具体应用场景选择合适的外部电容来优化开关性能。
    - 驱动电路设计:合理设计栅极驱动电路以减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 支持多种封装,包括 D2Pak、TO-220AB 和 TO-262。每种封装都有不同的管脚配置和电气特性。制造商提供详尽的技术支持文档和应用笔记,帮助用户正确使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方案:
    - 问题:过高的漏极电流导致器件过热。
    - 解决方法:检查散热片的设计和安装,确保良好的热传导性能。
    - 问题:驱动电路不稳定导致误动作。
    - 解决方法:检查驱动电路的稳定性,调整相关参数以达到最佳效果。
    - 问题:栅极驱动电压波动导致开关损耗增加。
    - 解决方法:优化栅极驱动电路设计,减小电压波动,提高系统的稳定性和效率。

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 系列凭借其优异的电气特性和坚固性,在高效率电力转换领域表现出色。产品提供多种封装选项,适合不同应用场景的需求。其优越的散热性能和环保材料使其成为当前市场的热门选择。对于需要高效率和可靠性的电力转换应用,强烈推荐使用这款产品。

IRFSL4410ZPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.82nF@50V
栅极电荷 120nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 97A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 58A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 230W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.65mm(Max)
通用封装 TO-262
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRFSL4410ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFSL4410ZPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF数据手册

IRFSL4410ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 21.0718
15+ ¥ 20.4409
25+ ¥ 19.8256
50+ ¥ 14.2556
100+ ¥ 13.8283
200+ ¥ 13.4132
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