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IPB80N04S4L04ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 35µA 60nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4mΩ@ 80A,10V 80A 4.69nF@25V TO-263 贴片安装 10mm(长度)
供应商型号: IPB80N04S4L04ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1概述


    产品简介


    OptiMOS®-T2 Power-Transistor (IPB80N04S4L-04, IPI80N04S4L-04, IPP80N04S4L-04)
    该产品是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),具有优异的电气特性和可靠性。主要用于汽车电子、工业控制、电源管理及消费电子产品等领域。由于其卓越的性能和广泛的适用性,这款晶体管在多个行业中都受到广泛应用。

    技术参数


    - 最大连续漏极电流:80 A(TC=25°C, VGS=10V);80 A(TC=100°C, VGS=10V)
    - 脉冲漏极电流:320 A(TC=25°C)
    - 雪崩能量:100 mJ(ID=40A)
    - 雪崩电流:80 A
    - 栅源电压:±20/-16 V
    - 功率耗散:71 W(TC=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 静态特性
    - 击穿电压(V(BR)DSS):40 V(VGS=0V, ID=1mA)
    - 阈值电压(VGS(th)):1.2至2.2 V(VDS=VGS, ID=35µA)
    - 零栅压漏极电流(IDSS):0.02至1 µA(VDS=40V, VGS=0V)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):100 nA(VGS=20V, VDS=0V)
    - 导通电阻(RDS(on)):5.1至6 mΩ(VGS=4.5V, ID=40A)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过AEC认证,MSL1到260°C峰值回流。
    - 宽温范围:-55°C至+175°C的工作温度,确保在极端环境中也能正常工作。
    - 环保设计:RoHS合规,100%雪崩测试。
    - 低导通电阻:最大导通电阻为4.0 mΩ(SMD版本),适用于高效电源管理。
    - 出色的热性能:热阻较低,能够有效散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子系统中的电机驱动器和逆变器。
    - 工业自动化中的伺服驱动器和变频器。
    - 电源转换和稳压电路。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议增加散热片以提高散热效率。
    - 为了防止电压过冲,可在栅极串联电阻以减缓开关速度。
    - 高频应用时,注意布局设计以减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品提供多种封装选项(PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1、PG-TO220-3-1),易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高电流下无法正常工作。
    - 解决方案:检查电流是否超过额定值,并确保适当的散热措施。
    2. 问题:产品的耐压能力不足。
    - 解决方案:确保VDS不超过40V,并按照规定进行操作。
    3. 问题:产品在高温环境下工作不正常。
    - 解决方案:增加散热措施,确保工作温度在规定的范围内。

    总结和推荐


    OptiMOS®-T2 Power-Transistor是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型功率场效应晶体管。其宽广的工作温度范围、低导通电阻以及卓越的电气特性使其成为许多应用场景的理想选择。尤其适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统。强烈推荐此款产品给需要高效、可靠电力控制解决方案的应用场合。
    请注意,本产品可能包含危险物质,具体详情请咨询Infineon Technologies官方办公室。

IPB80N04S4L04ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 80A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.69nF@25V
配置 -
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 35µA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 60nC@ 10 V
最大功率耗散 71W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V,16V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm(长度)
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB80N04S4L04ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N04S4L04ATMA1数据手册

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IPB80N04S4L04ATMA1封装设计

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3000+ ¥ 3.45
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