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IRF1018ESTRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, TO-220AB封装, 通孔安装
供应商型号: 2803405
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF概述


    产品简介


    产品类型
    IRF1018EPbF 和 IRF1018ESPbF 是两种不同封装形式(TO-220AB 和 D2Pak)的 HEXFET Power MOSFET 产品。这些 MOSFET 主要用于高效率同步整流、不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路。
    主要功能
    - 高效率同步整流:在开关模式电源(SMPS)中实现高效的电能转换。
    - 增强型体二极管:提高反向恢复特性和瞬态能力。
    - 抗雪崩和动态dv/dt:提高了耐用性和可靠性。
    应用领域
    - 高效 SMPS 同步整流
    - 不间断电源系统
    - 高速功率开关
    - 硬开关和高频电路

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage):60V
    - RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance):7.1 mΩ 至 8.4 mΩ
    - ID (Continuous Drain Current):79A
    - IDM (Pulsed Drain Current):315A
    - PD (Maximum Power Dissipation):20W
    - TJ (Operating Junction Temperature):-55°C 至 +175°C
    动态特性
    - gfs (Forward Transconductance):110 S
    - Qg (Total Gate Charge):46 nC 至 69 nC
    - td(on) (Turn-On Delay Time):13 ns
    - tr (Rise Time):35 ns
    - td(off) (Turn-Off Delay Time):55 ns
    - tf (Fall Time):46 ns
    热阻
    - RθJC (Junction-to-Case Thermal Resistance):1.32°C/W
    - RθCS (Case-to-Sink Thermal Resistance):0.50°C/W
    - RθJA (Junction-to-Ambient Thermal Resistance):62°C/W (TO-220), 40°C/W (D2 Pak)

    产品特点和优势


    - 增强的雪崩和动态dv/dt耐受性:有效提升设备的耐用性,确保在高电流冲击下的稳定性。
    - 全面表征的电容和雪崩安全工作区(SOA):保证器件在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 改进的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力:优化了瞬态响应性能,适用于快速变化的电流和电压条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高效 SMPS 同步整流:IRF1018 在高效率 SMPS 中作为同步整流器,能显著降低功率损耗,提高整体转换效率。
    - 不间断电源(UPS):通过高可靠性的雪崩和动态dv/dt耐受性,确保UPS系统在异常情况下依然能够稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于热阻较高,建议采用高效的散热设计,如添加散热片和风扇。
    - 驱动电路设计:选择合适的栅极电阻(如 RG = 25Ω),以优化开关速度和减少开关损耗。
    - 电路布局:保持 PCB 设计的简洁性,避免不必要的寄生电感,以优化器件的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF1018EPbF 和 IRF1018ESPbF 可以与大多数标准 D2 Pak 和 TO-220AB 封装的 PCB 设计兼容。
    - 支持和维护:IR 公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记(例如 AN-994),以帮助客户进行正确的设计和应用。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:当器件温度过高时,建议检查散热设计是否充分。如果散热不良,增加散热片和风扇可有效改善散热效果。
    2. 开关速度慢:可以通过优化栅极电阻值(如选择适当的 RG)来提升开关速度。
    3. 电压击穿:确保驱动电压不超过最大额定值(如 VGS ≤ 20V),并确保在设计过程中留有足够的安全裕度。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF1018EPbF 和 IRF1018ESPbF 具有优异的耐久性、高效能和多功能性,非常适合用于高效率同步整流、UPS 和高速功率开关等领域。这些器件在设计和应用中提供了强大的支持,包括详尽的技术文档和应用笔记。
    推荐结论
    强烈推荐使用 IRF1018EPbF 和 IRF1018ESPbF。这些器件不仅在技术规格上表现优异,而且在可靠性、耐用性和应用范围上也具备明显优势。对于需要高性能和高可靠性的场合,IRF1018 是一个理想的选择。

IRF1018ESTRLPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 110W(Tc)
Id-连续漏极电流 79A
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 47A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.29nF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
配置 独立式
栅极电荷 69nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF1018ESTRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1018ESTRLPBF数据手册

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IRF1018ESTRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.8673
10+ ¥ 5.96
100+ ¥ 5.3402
500+ ¥ 5.2448
1000+ ¥ 5.1495
5000+ ¥ 5.1495
库存: 165
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