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IPB60R099CPA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 255W 20V 2.5V 60nC@ 10V 1个N沟道 600V 105mΩ@ 10V 31A 2.8nF@ 100V TO-263 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: CSJ-ST64838447
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB60R099CPA

IPB60R099CPA概述

    IPB60R099CPA CoolMOSÆ Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB60R099CPA 是一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于CoolMOSÆ系列。该产品采用TO263封装,主要应用于汽车领域的DC/DC转换器。其独特的设计使其具备低导通电阻、低栅极电荷及高耐受电压等特性,适用于需要高效能、高可靠性电力转换的应用场合。

    2. 技术参数


    - 主要参数
    - 型号: IPB60R099CPA
    - 封装: PG-TO263-3-2
    - 最大漏源电压 (VDS): 600V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.105Ω @ 25°C, 0.24Ω @ 150°C
    - 最大漏极电流 (ID): 31A @ 25°C, 18A @ 100°C
    - 最大耗散功率 (Ptot): 19W @ 25°C
    - 热阻抗 (RthJC): 0.5 K/W
    - 存储温度范围 (Tstg): -40°C 到 +150°C
    - 工作温度范围 (Tj): -40°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 2.5V 至 3.5V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): ≤ 5μA @ 25°C
    - 栅极漏电流 (IGSS): ≤ 100nA @ 20V
    - 输入电容 (CISS): 2800pF @ 100V
    - 输出电容 (COSS): 130pF @ 100V
    - 反向恢复时间 (trr): 450ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 60nC 至 80nC

    3. 产品特点和优势


    - 全球领先的低RDS(on):在TO263封装下具备最低的导通电阻,提高效率。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高整体系统效率。
    - 极端dv/dt额定值:具有高瞬态抗压能力,适用于苛刻的应用环境。
    - 高脉冲电流能力:可以处理大电流峰值。
    - 符合AEC-Q101标准:适用于汽车应用。
    - 环保包装:符合RoHS标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:主要用于汽车DC/DC转换器、太阳能逆变器、工业电源转换器等需要高效率和可靠性的场合。
    - 使用建议:
    - 在高频率切换应用中,选择适当的栅极驱动电路以减少开关损耗。
    - 注意反向恢复特性,避免因硬换流导致的器件损坏。
    - 保持良好的散热措施,特别是在高温环境下使用时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准的TO263封装器件兼容,可直接替换使用。
    - 支持和服务:Infineon Technologies提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:反向恢复时间过长
    - 解决方案:优化电路设计,降低电流变化率(dI/dt),并选用合适的二极管配合使用。
    - 问题2:栅极驱动不足
    - 解决方案:确保栅极驱动电路有足够的驱动能力和带载能力,增加外接栅极电阻。
    - 问题3:过热问题
    - 解决方案:改善散热条件,如增加散热片或使用强制风冷等方式。

    7. 总结和推荐


    综合评估:IPB60R099CPA是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,其优秀的导通电阻、低栅极电荷以及强固的耐用性使其成为汽车DC/DC转换器等应用的理想选择。它不仅在性能上优于同类产品,在环保和安全性方面也有卓越表现。
    推荐使用:强烈推荐在需要高效率和高可靠性电力转换的应用场合中使用IPB60R099CPA,如汽车电子、工业电源等领域。该产品凭借其出色的性能和广泛的适用性,将是您设计和制造电力转换设备的优选元件。

IPB60R099CPA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 255W
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 31A
栅极电荷 60nC@ 10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@ 100V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPB60R099CPA厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB60R099CPA数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CPA IPB60R099CPA数据手册

IPB60R099CPA封装设计

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