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IPD50N06S4-09

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71KW 20V 4V 36nC@ 10V 60V 9mΩ@ 10V 60A 2.911nF@ 25V TO-252,TO-252-3 支架安装,贴片安装
供应商型号: 14M-IPD50N06S4-09
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD50N06S4-09

IPD50N06S4-09概述


    产品简介


    IPD50N06S4-09 OptiMOS®-T2 功率晶体管
    IPD50N06S4-09 是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率晶体管。该晶体管具备出色的电气性能和可靠性,适用于多种高要求的应用场景。IPD50N06S4-09 主要用于开关电源、电机驱动、照明系统、电信设备及汽车电子等领域,能够提供稳定的电力传输和高效能的电流控制。

    技术参数


    - 额定参数
    - 连续漏极电流 \( ID \):25°C 下为 50A;100°C 下为 47A
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,\text{pulse}} \):25°C 下为 200A
    - 击穿电压 \( V{(BR)DSS} \):\( V{GS}=0V \),\( ID=1mA \) 下为 60V
    - 最大结温 \( Tj \):175°C
    - 绿色产品(符合RoHS标准)
    - 热特性
    - 结-壳热阻 \( R{thJC} \):2.1K/W
    - 表面贴装版本,最小散热面积下 \( R{thJA} \):40K/W(铜面积为6cm²)

    - 电气特性
    - 开启门限电压 \( V{GS(th)} \):2.0至4.0V(\( V{DS}=V{GS} \),\( ID=34\mu A \))
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):典型值为 7.1mΩ,最大值为 9.0mΩ(\( V{GS}=10V \),\( ID=50A \))
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):45ns(\( VR=30V \),\( IF=IS \),\( dIF/dt=100A/\mu s \))
    - 逆向恢复电荷 \( Q{rr} \):40nC

    产品特点和优势


    IPD50N06S4-09 的主要特点是其优异的热稳定性和低导通电阻。这些特点使其在高功率密度应用中表现出色。此外,该晶体管经过100%雪崩测试,并且符合AEC-Q101标准,确保了其在极端条件下的可靠性和耐用性。其紧凑的PG-TO252-3-11封装形式使得安装和布线更加方便。

    应用案例和使用建议


    IPD50N06S4-9 广泛应用于各种高功率转换和控制系统。例如,在一个电动车的驱动系统中,该晶体管可用于控制电池到电动机的能量流动,从而实现高效的能量管理和控制。此外,在LED驱动电路中,该晶体管也可以用于精确控制电流,以延长灯具的使用寿命并提高效率。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应考虑使用散热片来降低结温。
    - 使用过程中应注意避免过高的脉冲电流,以防止热失控。
    - 在进行布局设计时,尽量缩短栅极走线长度以减少杂散电感,从而提高开关速度。

    兼容性和支持


    IPD50N06S4-9 可与其他兼容的电源管理器件无缝集成。Infineon提供了全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用指南和技术支持服务。如有任何疑问,可联系Infineon Technologies的客户服务团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下使用时,晶体管温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热装置或改善PCB散热设计。
    2. 问题:在脉冲工作模式下,晶体管损坏。
    - 解决方案:确保在电路设计时限制脉冲电流,并添加合适的保护措施。
    3. 问题:电路开机时出现噪声。
    - 解决方案:检查并改进电路布局,确保栅极和源极之间的走线尽可能短。

    总结和推荐


    总体而言,IPD50N06S4-9是一款高性能、高可靠的N沟道增强型功率晶体管,适用于多种高功率应用场合。其出色的电气特性和热稳定性使其成为许多工业和汽车应用的理想选择。推荐该产品在需要高效电流控制和高可靠性电源管理的系统中使用。

IPD50N06S4-09参数

参数
Id-连续漏极电流 60A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V
栅极电荷 36nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 71KW
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.911nF@ 25V
FET类型 -
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.56mm(Max)
通用封装 TO-252,TO-252-3
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD50N06S4-09厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD50N06S4-09数据手册

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IPD50N06S4-09封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 4.5943
30+ ¥ 3.5982
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300+ ¥ 3.0629
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