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IPG20N06S4L14AATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOSFET管, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 3816960
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1概述

    # IPG20N06S4L-14A OptiMOS™-T2 Power Transistor

    产品简介


    IPG20N06S4L-14A是一款采用OptiMOS™-T2技术的双N沟道逻辑电平增强型功率晶体管。这款产品广泛应用于汽车电子、电源管理、工业控制等领域,具备高可靠性和高性能的特点。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装形式,该晶体管适用于各种需要高效能功率转换的应用场合。

    技术参数


    IPG20N06S4L-14A的技术参数如下:
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流(一个通道): \( I{D} \) @ \( T{C}=25^\circ \text{C} \): 20 A;@ \( T{C}=100^\circ \text{C} \): 20 A
    - 脉冲漏极电流(一个通道): \( I{D,\text{pulse}} \): 80 A
    - 击穿电压(漏源间): \( V{(BR)DSS} \): 60 V
    - 热阻抗:\( R{thJC} \): 3 K/W
    - 最大栅源电压: \( V{GS} \): ±16 V
    - 功率耗散(一个通道): \( P{tot} \): 50 W
    - 工作和存储温度范围: \( Tj, T{stg} \): -55°C 至 +175°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压: \( V{(BR)DSS} \): 60 V
    - 栅阈值电压: \( V{GS(th)} \): 1.2 V至2.2 V
    - 零栅压漏极电流: \( I{DSS} \): 0.01 µA 至 100 µA
    - 输出电容: \( C{oss} \): 540 pF 至 700 pF
    - 开关延迟时间: \( t{d(on)} \): 8 ns
    - 反向恢复时间: \( t{rr} \): 35 ns

    产品特点和优势


    IPG20N06S4L-14A的主要特点包括:
    - AEC Q101认证: 使其适用于汽车电子应用。
    - 绿色产品 (RoHS合规): 符合环保标准,便于回收利用。
    - 100%雪崩测试: 保证了产品的可靠性。
    - 增强型栅漏电压耐受能力: 使其在恶劣环境下更加稳定。
    - 低热阻抗: 有助于提升整体散热性能,减少功率损耗。
    这些特点使得该产品在高可靠性、高效率和广泛应用方面具备强大的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    IPG20N06S4L-14A主要用于以下应用场景:
    - 电动汽车:用于电动机驱动系统。
    - 电源管理:在高效率电源转换器中作为开关管。
    - 工业控制:应用于变频器和电机驱动电路。
    使用建议:
    - 确保电路设计时考虑散热,特别是连续工作时。
    - 尽可能避免脉冲电流超过规定极限,以防止过热损坏。
    - 在高电压和高频环境下,注意输出电容的影响,以优化电路性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准SMD封装的器件兼容。
    - 支持和维护: Infineon提供全面的技术支持和维护服务。如有任何疑问或技术支持需求,可联系最近的Infineon办事处。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 电路温度过高。
    - 解决方案: 增加散热片或优化散热路径。
    - 问题2: 输出电流不足。
    - 解决方案: 检查外围电路设计和供电情况,确保电流供给充足。
    - 问题3: 开关损耗高。
    - 解决方案: 优化电路设计,减少寄生电容的影响。

    总结和推荐


    总体来看,IPG20N06S4L-14A凭借其优秀的电气特性、可靠的设计和广泛的适用范围,在各类电力管理和控制应用中表现出色。推荐用于需要高可靠性、高效率的场合,如电动汽车、电源管理、工业控制等。
    如果你的应用场景要求严格的温度范围和高效能,那么这款产品将是理想的选择。

IPG20N06S4L14AATMA1参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 39nC@ 10V
通道数量 1
最大功率耗散 50W
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 20µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.89nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 13.7mΩ@ 17A,10V
配置 独立式
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPG20N06S4L14AATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S4L14AATMA1数据手册

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IPG20N06S4L14AATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.1077
10+ ¥ 5.3846
100+ ¥ 4.8246
500+ ¥ 4.7384
1000+ ¥ 4.6523
5000+ ¥ 4.6523
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