处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF9130

IRF9130

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 75W 20V 29nC(Max) @ 10V 1个P沟道 100V 360mΩ@ 10V 860pF@ 25V 通孔安装
供应商型号: 4190683
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF9130

IRF9130概述

    HEXFET® MOSFET 技术手册:IRF9130 产品综述

    产品简介


    HEXFET® MOSFET 是国际整流器公司(International Rectifier)推出的高级功率 MOSFET 晶体管技术。这项技术结合了高效几何结构和独特的加工工艺,使得产品具备极低的导通电阻和高跨导率。此外,HEXFET® MOSFET 还具有出色的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。这些特性使该产品适用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等多种应用场景。

    技术参数


    以下是 IRF9130 的关键技术和性能参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | ID1 | 持续漏电流 (VGS=-10V) | -11 | - | - | A
    | ID2 | 持续漏电流 (TC=100°C)| -7.0 | - | - | A
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | - | -44 | A
    | PD | 最大耗散功率 | - | - | 75 | W
    | VGS | 栅源电压 | ±20 | - | - | V
    | EAS | 单次脉冲雪崩能量 | - | - | 207 | mJ
    | IAR | 雪崩电流 | - | - | -11 | A
    | EAR | 重复雪崩能量 | - | - | 7.5 | mJ
    | dv/dt | 峰值二极管恢复 | - | - | -5.5 | V/ns

    产品特点和优势


    IRF9130 MOSFET 具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 重复雪崩额定值:能够在极端条件下稳定工作。
    2. 动态 dv/dt 额定值:提供高速切换能力。
    3. 密封封装:具备良好的抗环境影响能力。
    4. 简单的驱动要求:易于集成到各种应用中。
    5. ESD 等级:符合严格的耐静电标准(Class 1C)。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用场景和示例,IRF9130 可用于多种高压应用中。例如,在电机控制系统中,它可以实现高效的电能转换和控制。在逆变器和斩波器应用中,它能够处理高能脉冲,确保系统的稳定性和可靠性。使用建议如下:
    1. 温度管理:确保系统散热良好,避免高温导致的性能下降。
    2. 驱动电路设计:合理设计栅极驱动电路,确保快速可靠的开关速度。

    兼容性和支持


    IRF9130 与现有电路板和相关组件具有良好的兼容性。国际整流器公司提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档。客户还可以通过当地的销售代表获取进一步的信息和支持。

    常见问题与解决方案


    手册中列出了常见的问题及其解决方案,以下是其中几项:
    1. 高温引起的性能下降:确保系统散热良好,定期检查并维护散热装置。
    2. 驱动电路不稳定:调整驱动电路参数,确保稳定的信号输入。
    3. 过压损坏:安装适当的保护电路,如瞬态电压抑制器。

    总结和推荐


    IRF9130 MOSFET 结合了先进的 HEXFET® 技术和优异的性能指标,非常适合于需要高可靠性和高效能的应用场合。尽管初始成本较高,但其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为值得投资的选择。强烈推荐在高压和高能脉冲应用中使用该产品。

IRF9130参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 860pF@ 25V
最大功率耗散 75W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 10V
配置 独立式withbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
栅极电荷 29nC(Max) @ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
39.37mm(Max)
25.53mm(Max)
7.74mm(Max)
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF9130厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF9130数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF9130 IRF9130数据手册

IRF9130封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 18.6487 ¥ 156.0898
5+ $ 17.2179 ¥ 144.1142
10+ $ 15.75 ¥ 131.8275
50+ $ 15.4603 ¥ 129.4023
100+ $ 14.7077 ¥ 123.1034
250+ $ 13.4859 ¥ 112.877
库存: 0
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336