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BSZ110N08NS5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS 5系列, Vds=80 V, 40 A, PQFN 3 x 3封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: REB-TMOS1069
供应商: 海外现货
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@40V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 22µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 50W(Tc)
栅极电荷 18.5nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSZ110N08NS5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ110N08NS5ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1数据手册

BSZ110N08NS5ATMA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.3503 ¥ 3.072
10000+ $ 0.3412 ¥ 2.9919
15000+ $ 0.3351 ¥ 2.9385
25000+ $ 0.3026 ¥ 2.6539
30000+ $ 0.2865 ¥ 2.5128
库存: 10000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
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型号 价格(含增值税)
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