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BSC010N04LS6ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 285 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: BSC010N04LS6ATMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1概述

    # BSC010N04LS6 OptiMOSTM 6 Power Transistor 技术手册解析

    1. 产品简介


    BSC010N04LS6 是一款基于 OptiMOSTM 6 技术的高性能功率 MOSFET,属于 N 沟道增强型器件。该产品设计用于同步整流应用,广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。其核心优势在于超低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,非常适合高频开关应用。
    主要功能
    - 同步整流优化:特别适用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器等高频开关电路。
    - 超低导通电阻:典型值为 1 mΩ,极大降低功耗并提高效率。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保产品稳定性。
    应用领域
    - 工业级电源转换
    - 新能源汽车逆变器
    - 通信设备中的高效功率管理模块
    - 电机驱动系统

    2. 技术参数


    以下是 BSC010N04LS6 的关键性能指标和技术规格:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDS(漏源电压) | V | - | 40 | - |
    | RDS(on)(导通电阻) | mΩ | - | 1 | 1.4 |
    | ID(连续漏极电流) | A | - | 285 | - |
    | Qoss(输出电荷) | nC | 73 | - | 97 |
    | QG(栅极总电荷) | nC | 32 | 67 | - |
    其他重要特性:
    - Pb-Free 无铅镀层,符合 RoHS 规范。
    - Halogen-Free,符合 IEC61249-2-21 标准。
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C。

    3. 产品特点和优势


    BSC010N04LS6 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 超低导通电阻:RDS(on) ≤ 1.4 mΩ,在同类产品中处于领先地位,可显著减少功耗并提升能效。
    2. 卓越的热性能:采用改进的散热结构设计,确保长时间稳定运行。
    3. 高可靠性:通过 100% 雪崩测试,满足严苛的应用环境需求。
    4. 宽工作温度范围:支持 -55°C 至 +175°C,适合极端工况。
    5. 环保合规:符合 RoHS 和 Halogen-Free 标准,绿色环保。
    这些特点使其成为高效率、高可靠性的首选功率半导体解决方案。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - DC-DC 转换器:作为同步整流器件,用于高效降压转换。
    - LED 驱动电路:通过超低导通电阻减小发热,延长 LED 寿命。
    - 工业电机控制:在恶劣环境中保持稳定运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保 PCB 布局合理,尤其是栅极驱动线路需短而直,以减少寄生电感。
    - 结合外部电容和电阻优化驱动信号,避免开关瞬态引起的过压问题。
    - 注意热管理,尤其是在高功率应用中,建议增加散热片或优化空气流通。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - BSC010N04LS6 可与主流 PCB 板材和焊接工艺兼容,适配广泛的设备集成需求。
    技术支持:
    - Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南、仿真工具及样品申请通道。
    - 用户可通过官方渠道获取售后服务和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻,降低 QG 值 |
    | 导通电阻过高 | 检查 VGS 是否达到阈值,确保电路正常连接 |
    | 过温保护触发 | 优化散热设计,增加散热片 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    BSC010N04LS6 以其卓越的性能表现、广泛的应用场景以及强大的技术支持赢得了市场认可。它在高效率、高可靠性方面的出色表现,尤其适合需要低功耗和紧凑设计的工业及汽车电子应用。
    推荐结论
    强烈推荐此款产品,特别是在需要高性能功率半导体的场景中。无论是从成本效益还是技术先进性来看,BSC010N04LS6 都是一款极具竞争力的选择。
    最终评分:4.8/5

BSC010N04LS6ATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3W(Ta),150W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.6nF@20V
栅极电荷 67nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 40A,100A
通道数量 1
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC010N04LS6ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC010N04LS6ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1数据手册

BSC010N04LS6ATMA1封装设计

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