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IRLR3103

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 107W(Tc) 16V 1V@ 250µA 50nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 19mΩ@ 33A,10V 1.6nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: AMS-IRLR3103
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR3103

IRLR3103概述

    IRLR/U3103PbF HEXFET® Power MOSFET

    1. 产品简介


    IRLR/U3103PbF 是一款由International Rectifier生产的HEXFET® Power MOSFET(高压场效应晶体管)。它主要用于电源管理和控制电路中,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性。此型号的MOSFET适用于多种应用,如直流电机驱动、电池充电器、开关电源和汽车电子系统等。

    2. 技术参数


    以下是IRLR/U3103PbF的主要技术规格和性能参数:
    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.019Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在25°C时:55A
    - 在100°C时:39A
    - 脉冲漏极电流(IDM):220A
    - 最大功耗(PD):
    - 在25°C时:107W
    - 线性降额因子:0.71W/°C
    - 栅源电压(VGS):±16V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):240mJ
    - 雪崩电流(IAR):34A
    - 重复雪崩能量(EAR):11mJ
    - 峰值二极管恢复(dv/dt):5.0V/ns
    - 工作结温范围(TJ):-55°C到+175°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C到+175°C

    3. 产品特点和优势


    IRLR/U3103PbF具备以下独特功能和优势:
    - 逻辑级栅极驱动:可直接与逻辑电路接口。
    - 超低导通电阻:0.019Ω,使得导通损耗最小化。
    - 表面贴装(Surface Mount):方便自动化生产和提高可靠性。
    - 直插式引脚:适用于通孔安装。
    - 先进工艺技术:提供更好的性能和更高的可靠性。
    - 快速开关:减少开关损耗,提升整体效率。
    - 全面雪崩测试认证:保证在极端条件下的可靠性能。
    - 无铅设计:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直流电机驱动:可以有效控制电机的启动和停止过程,减少热耗散。
    - 电池充电器:适用于高功率充电器的设计,提供高效的能量转换。
    - 开关电源:用于高频电源转换场合,提高电源转换效率。
    - 汽车电子系统:能够在宽泛的工作温度范围内稳定工作,满足恶劣环境需求。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,以避免由于过热导致的性能下降。
    - 选择合适的驱动电路和阻抗匹配,以获得最佳的开关速度和减小损耗。
    - 注意焊接温度限制,确保在规定的温度内进行焊接操作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的表面贴装和通孔封装标准兼容。
    - 支持和服务:制造商提供详细的技术文档和应用指南,包括推荐的焊接技术和安装说明。此外,还提供售后服务和技术支持,帮助用户解决问题和提高产品应用的可靠性。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的驱动电阻以优化开关速度?
    - A:选择较小的栅极电阻可以加快开关速度,但会增加损耗。一般建议选择20Ω~50Ω之间的电阻。
    2. Q:工作温度超过175°C时,如何保护器件免受过热损坏?
    - A:通过外部散热片或者冷却系统来降低工作温度,同时选择低RDS(on)的器件来减小发热。
    3. Q:如何正确处理焊接过程中的热冲击问题?
    - A:遵循推荐的焊接温度曲线,避免过高的焊接温度和过长的加热时间,确保焊点质量。

    7. 总结和推荐


    IRLR/U3103PbF 是一款高效能的HEXFET Power MOSFET,具有极低的导通电阻和优异的电气性能。其广泛的应用领域和可靠的特性使其成为电源管理系统的理想选择。对于需要高效能和快速响应的应用场景,强烈推荐使用这款MOSFET。

IRLR3103参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@25V
Vgs-栅源极电压 16V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 107W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 33A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 50nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR3103厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR3103数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3103 IRLR3103数据手册

IRLR3103封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 3.516 ¥ 29.5344
500+ $ 3.492 ¥ 29.3328
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