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BFR460L3E6327XTMA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN射频双极晶体管, TSLP-3-1封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流50 mA, 最大集电极-发射电压15 V
供应商型号: AV-E-BFR460L3E6327XTMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 15000
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFR460L3E6327XTMA1

BFR460L3E6327XTMA1概述

    BFR460L3 低噪声硅射频晶体管技术手册

    产品简介


    BFR460L3 是一款由Infineon Technologies生产的低噪声硅射频晶体管,专为低压/小电流应用设计。其核心优势在于出色的噪声性能(噪声系数仅为1.1 dB @ 1.8 GHz),使其成为电压控制振荡器模块和低噪声放大器的理想选择。该晶体管符合RoHS标准,采用无铅和无卤化物的薄型无引线封装(TSLP-3-1),具有出色的静电放电保护性能。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 4.5 V (TA = 25°C),VCES = 15 V,VCBO = 15 V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 1.5 V
    - 集电极电流:IC = 50 mA
    - 基极电流:IB = 5 mA
    - 总功率耗散:Ptot = 200 mW
    - 结温:TJ = 150 °C
    - 存储温度范围:TStg = -55 °C ~ 150 °C
    热阻
    - 结-焊点热阻:RthJS = 210 K/W
    直流特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 4.5 V ~ 5.8 V
    - 集电极-发射极截止电流:ICES = 10 µA
    - 集电极-基极截止电流:ICBO = 100 nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO = 1 µA
    - 直流增益:hFE = 90 ~ 160
    交流特性
    - 转换频率:fT = 16 GHz ~ 22 GHz
    - 集电极-基极电容:Ccb = 0.28 pF ~ 0.45 pF
    - 集电极-发射极电容:Cce = 0.14 pF
    - 发射极-基极电容:Ceb = 0.55 pF
    - 最小噪声系数:NFmin = 1.1 dB @ 1.8 GHz
    - 最大稳定增益:Gms = 16.0 dB
    - 最大可用增益:Gma = 11 dB

    产品特点和优势


    - 低噪声系数:BFR460L3 的噪声系数在1.8 GHz时仅为1.1 dB,确保了信号的高保真度,特别适用于对噪声敏感的应用。
    - 高转换频率:最高可达22 GHz的转换频率,使该晶体管能够满足高频应用的需求。
    - 优秀的ESD性能:具备高达1500V的人体模型静电放电能力,提高了产品的可靠性。
    - 环保材料:无铅和无卤化物的薄型无引线封装,符合环保标准,适合各种环境使用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电压控制振荡器(VCO)模块:由于其低噪声特性和高增益,非常适合用于调谐和频率合成系统。
    - 低噪声放大器:在需要高信号保真度的射频前级放大中,可以显著提升系统的整体性能。
    使用建议
    - 环境温度:由于该晶体管的最大存储温度范围较宽,可以考虑在较极端的环境中使用,但要确保温度在安全范围内。
    - 功率管理:使用过程中要注意功率耗散,特别是在高温环境下,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 模型支持:BFR460L3的SPICE GP模型可以在Infineon Technologies官方网站下载,适用于多种电路仿真工具。
    - 文档和技术支持:Infineon提供了详细的文档和在线技术支持,包括安装指南、设计参考资料等。

    常见问题与解决方案


    1. 噪声问题
    - 问题:在某些频率下出现异常噪声。
    - 解决方法:检查外部电路,确保输入信号和电源干净无干扰。
    2. 过热问题
    - 问题:晶体管在高功率使用时温度过高。
    - 解决方法:增加散热措施,例如加装散热片或使用散热良好的电路板设计。

    总结和推荐


    BFR460L3是一款具有出色噪声性能和高频响应的低噪声硅射频晶体管。它在低电压和小电流应用中表现出色,尤其适用于VCO模块和低噪声放大器。凭借其高稳定性、环保材料及丰富的技术文档和支持资源,该产品在市场上具备很高的竞争力。强烈推荐给需要高性能射频晶体管的应用工程师。

BFR460L3E6327XTMA1参数

参数
最大功率耗散 200mW
配置 -
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 5.8V
集电极电流 50mA
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 1.5V
VCBO-最大集电极基极电压 15V
长*宽*高 1mm(长度)*600μm(宽度)
通用封装 TSLP-3-1
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BFR460L3E6327XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFR460L3E6327XTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFR460L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1数据手册

BFR460L3E6327XTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15000+ $ 0.1063 ¥ 0.9244
45000+ $ 0.1054 ¥ 0.917
150000+ $ 0.1046 ¥ 0.9096
库存: 60000
起订量: 15000 增量: 15000
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最小起订量为:15000
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