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IPL65R099C7AUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 128W(Tc) 20V 4V@ 590µA 45nC@ 10 V 1个N沟道 650V 99mΩ@ 5.9A,10V 21A 2.14nF@400V SON 贴片安装 8mm*8mm*1.1mm
供应商型号: IPL65R099C7AUMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPL65R099C7AUMA1

IPL65R099C7AUMA1概述

    IPL65R099C7 MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IPL65R099C7 是一款由 Infineon Technologies 生产的CoolMOS™ C7 系列 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 ThinPAK 8x8 封装,具有极低的寄生电感,使其适用于高频开关应用。该器件主要应用于功率因数校正(PFC)阶段及硬开关脉宽调制(PWM)阶段,例如计算机、服务器、电信设备、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):700 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \):15 A
    - 脉冲漏电流 \( I{D,pulse} \):100 A
    - 单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):118 mJ
    - 雪崩电流 \( I{AS} \):8.4 A
    - MOSFET dv/dt 耐久性:100 V/ns
    - 最大功耗 \( P{tot} \):128 W
    - 工作温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 静态特性:
    - 最小导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.088 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \):2140 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):33 pF
    - 动态特性:
    - 输入电荷 \( Q{gs} \):11 nC
    - 输出电荷 \( Q{gd} \):15 nC
    - 总电荷 \( Qg \):45 nC
    - 输出电容 \( C{oss} \) 相关的能量存储电容 \( C{o(er)} \):69 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \) 相关的时间相关电容 \( C{o(tr)} \):763 pF
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):11 ns
    - 上升时间 \( tr \):5 ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \):89 ns
    - 下降时间 \( tf \):12 ns

    产品特点和优势


    IPL65R099C7 具备多个独特的功能和优势:
    - 增强的 MOSFET dv/dt 耐久性:允许在高频率下稳定运行。
    - 高效率:由于低 \( R{DS(on)} \) 和 \( Qg \),能够显著降低损耗。
    - 超低寄生电感:提高开关速度,减少尺寸,提高功率密度。
    - 易于驱动:具备专用驱动源引脚,便于控制门极。
    - 无铅镀层和无卤素模塑化合物:符合环保标准。
    - 工业级认证:满足 J-STD-020 和 JESD22 标准。
    这些特点使其非常适合在高频应用中使用,并在系统效率、成本和可靠性方面提供了显著的优势。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的信息,IPL65R099C7 主要用于 PFC 阶段和硬开关 PWM 阶段,如计算机、服务器、电信设备、UPS 和太阳能系统。例如,在设计 UPS 中的 PFC 阶段时,可以使用 IPL65R099C7 来提高系统效率并降低冷却要求。使用时需要注意:
    - 在并联 MOSFET 时,建议使用扼流圈或独立的顶部晶体管来避免电流不平衡。
    - 设计时需要考虑散热,以确保器件在高温下能正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPL65R099C7 可与其他标准的 650V MOSFET 电路兼容,但具体细节需参照 Infineon 的技术文档。
    - 支持:Infineon 提供丰富的技术支持资源,包括网页、应用注释、仿真模型和设计工具,均可以在 Infineon 官网找到。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何避免 MOSFET 并联时的电流不均衡?
    解决办法:建议在每个 MOSFET 的门极使用扼流圈,或使用独立的顶部晶体管来平衡电流。
    - 问题 2:如何正确安装以保证最佳散热效果?
    解决办法:确保在适当的温度范围内安装,并使用散热片或风扇进行有效的散热管理。

    总结和推荐


    IPL65R099C7 是一款高效、可靠且易于使用的 650V MOSFET,尤其适合于高频、高功率密度的应用场景。其出色的性能指标、低损耗和易于驱动的特点,使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐这款 MOSFET 用于需要高性能和可靠性的工业和电源应用。

IPL65R099C7AUMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.14nF@400V
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 128W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 590µA
Id-连续漏极电流 21A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 45nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 99mΩ@ 5.9A,10V
长*宽*高 8mm*8mm*1.1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPL65R099C7AUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPL65R099C7AUMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1数据手册

IPL65R099C7AUMA1封装设计

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