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IPD180N10N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W(Tc) 20V 3.5V@ 33µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 100V 18mΩ@ 33A,10V 43A 1.8nF@50V TO-252-3 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IPD180N10N3GATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1概述

    # IPD180N10N3 G OptiMOSTM3 Power Transistor 技术手册解析

    产品简介


    IPD180N10N3 G 是一款采用OptiMOSTM3技术的N沟道功率晶体管。这款产品因其低导通电阻和良好的栅电荷乘以漏极-源极电阻(FOM)而被广泛应用于高频率开关和同步整流领域。该产品符合RoHS标准,并且是无铅无卤素的产品,具有出色的热性能和稳定的电气特性。

    技术参数


    主要参数
    - 连续漏极电流 (ID):43 A(TC=25°C),30 A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (ID, pulse):172 A
    - 雪崩能量 (EAS):50 mJ(ID=33 A,RGS=25 Ω)
    - 最大结温 (Tj, Tstg):-55 ... 175 °C
    - 最大门限电压 (VGS):±20 V
    - 总功率损耗 (Ptot):71 W(TC=25°C)
    - 漏极-源极击穿电压 (V(BR)DSS):100 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):0.1 ... 100 μA(Tj=25°C至125°C)
    热性能
    - 结-壳热阻 (RthJC):2.1 K/W
    - 结-环境热阻 (RthJA):最小尺寸时75 K/W(无铜散热面积),50 K/W(有铜散热面积)
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 14.7 ... 18 mΩ(VGS=10 V,ID=33 A),18.4 ... 33 mΩ(VGS=6 V,ID=16 A)
    - 输入电容 (CISS):1350 ... 1800 pF
    - 输出电容 (COSS):237 ... 315 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):11 pF
    - 开关电荷 (QSW):6 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):14.7 ... 18 mΩ,确保低功耗和高效能。
    2. 出色的栅电荷特性:适用于高频率开关应用。
    3. 高可靠性:满足JEDEC标准,适合目标应用。
    4. 优异的温度范围:-55 ... 175 °C的工作温度,增强适应性。
    5. 无卤素和无铅:符合RoHS标准,环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 高频开关电源
    - 同步整流器
    - 电机驱动
    使用建议
    1. 在设计高频应用电路时,注意选择适当的栅极电阻 (RG),并合理布局电路,以减少寄生电容效应。
    2. 为提高散热效率,建议使用较大面积的铜散热层。
    3. 注意在高电流和高温环境下工作的注意事项,如适当降额使用。

    兼容性和支持


    兼容性
    IPD180N10N3 G 采用PG-TO252-3封装,可直接替换同类产品,确保与现有电路板兼容。
    厂商支持
    Infineon Technologies AG 提供详尽的技术支持文档和售后保障服务,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高电流时器件过热
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用更大面积的铜散热层或外部风扇辅助冷却。
    2. 问题:频率响应不佳
    - 解决方案:检查电路布局,减小寄生电容效应,确保栅极电阻值合适。
    3. 问题:开机瞬间启动延迟
    - 解决方案:确认电路中所有电容已正确连接和匹配,重新校准开关波形。

    总结和推荐


    IPD180N10N3 G OptiMOSTM3 功率晶体管以其出色的性能、稳定可靠的工作特性和广泛的应用范围,在高频率开关和同步整流领域具有显著优势。该产品不仅符合严格的工业标准,而且具备优秀的环保特性。因此,强烈推荐在相关领域进行应用。
    对于需要高性能、高可靠性的场合,IPD180N10N3 G 是一个理想的选择。

IPD180N10N3GATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 33A,10V
通道数量 -
最大功率耗散 71W(Tc)
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 33µA
栅极电荷 25nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.8nF@50V
Id-连续漏极电流 43A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD180N10N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD180N10N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1数据手册

IPD180N10N3GATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 3.024
15000+ ¥ 2.9736
25000+ ¥ 2.898
50000+ ¥ 2.8476
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起订量: 5000 增量: 2500
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