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IRF9317PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 83W 20V 3.5V@ 310uA 92nC@ 10 V 1个P沟道 900V 1.2Ω@10V,2.8A 5.1A 2.82nF@15V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IRF9317PBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF9317PBF

IRF9317PBF概述


    产品简介


    产品名称: IRF9317PbF
    产品类型: HEXFET Power MOSFET(功率场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高效率开关: IRF9317PbF是一款高效能的P沟道功率MOSFET,适用于各种高功率开关应用。
    - 低导通电阻: 该MOSFET在高电流下具有较低的导通电阻,能够显著减少功率损耗。
    - 良好的热性能: 高效的散热设计使得该器件能够在高温环境下稳定工作。
    应用领域:
    - 电源管理: 适用于开关电源、负载开关等。
    - 电机控制: 用于驱动电动机的高效率转换。
    - 照明系统: 用于LED驱动电路,提供高效的电流调节。
    - 工业自动化: 在工业控制系统中,用于高精度的功率控制。

    技术参数


    基本电气特性:
    - 栅源电压(VGS): -16V(连续),±20V(最大)
    - 漏极-源极电压(VDS): -30V(最大)
    - 漏极连续电流(ID): -16A(在25°C下),-13A(在70°C下)
    - 栅极电阻(RG): 14Ω(典型值)
    极限参数:
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 130A
    - 最大耗散功率(PD): 2.5W(在25°C下),1.6W(在70°C下)
    - 热阻(RθJA): 50°C/W(结点到环境)
    静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)): 6.6mΩ(在VGS=-10V下),10.2mΩ(在VGS=-4.5V下)
    - 门电荷(Qg): 31nC(典型值)
    动态参数:
    - 开关时间(td(on), tr, td(off), tf): 分别为19ns, 64ns, 160ns, 120ns
    - 输入电容(Ciss): 2820pF
    - 输出电容(Coss): 640pF
    - 反向传输电容(Crss): 370pF

    产品特点和优势


    特点:
    - 多供应商兼容性: 支持多种封装标准,确保在不同设备中可以互换使用。
    - 环保材料: 不含铅、不含溴及无卤素,符合RoHS标准。
    - 良好的热管理: 高效的散热设计,适用于各种环境温度下的稳定运行。
    优势:
    - 低功耗: 由于其低导通电阻和高效的开关性能,可以显著降低系统功耗。
    - 可靠性高: 符合严格的行业标准,确保在苛刻条件下也能保持稳定的工作状态。
    - 灵活性强: 广泛的应用范围使其可以在多个领域中发挥作用,如电源管理和电机控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流电源管理: 例如,在汽车电源管理系统中,IRF9317PbF可以作为开关元件,以实现高效的能量转换。
    - 电动机控制: 在工业自动化系统中,该MOSFET可用于驱动电机,提高系统的控制精度和效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 为了确保长期稳定的运行,建议使用散热片或风扇来辅助散热。
    - 驱动电路设计: 使用适当的栅极电阻(RG)来优化开关速度,从而提高整体效率。
    - 过载保护: 为避免因过载导致器件损坏,建议添加适当的过流保护措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 标准封装: 采用行业标准SO-8封装,易于与其他设备连接。
    - 多供应商兼容性: 可与多种其他电子元件和设备配合使用,无需担心不兼容问题。
    支持和服务:
    - 技术支持: 国际整流器公司提供详尽的技术支持,解答用户疑问。
    - 售后服务: 如需进一步了解或获取样品,请联系当地销售代表。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何选择合适的栅极电阻(RG)?
    - 解决方法: 根据具体的应用需求,参考数据手册中提供的建议值,同时根据驱动信号的特性和频率调整RG的值。
    2. 在高温环境下运行时,器件出现不稳定现象?
    - 解决方法: 检查散热设计是否合理,确保温度不超过器件的额定温度范围。如果有必要,增加散热片或风扇以提高散热效果。
    3. 功率损耗较高?
    - 解决方法: 确认驱动信号的参数设置是否正确,尤其是栅极电阻(RG)的值。此外,检查是否存在额外的寄生电感或电容影响开关性能。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高效率: 导通电阻低,适用于高功率开关应用。
    - 高可靠性: 通过了多项行业标准测试,性能稳定。
    - 灵活性: 多供应商兼容性高,应用广泛。
    推荐:
    - 推荐使用: IRF9317PbF是一款高性能的P沟道功率MOSFET,特别适合在高功率开关和电源管理应用中使用。其出色的性能和广泛的兼容性使其成为许多领域的理想选择。

IRF9317PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 5.1A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 92nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 310uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.82nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@10V,2.8A
最大功率耗散 83W
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
4.98mm(Max)
3.99mm(Max)
1.72mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF9317PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF9317PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF9317PBF IRF9317PBF数据手册

IRF9317PBF封装设计

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