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IPAN70R600P7SXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPAN70R600P7SXKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPAN70R600P7SXKSA1

IPAN70R600P7SXKSA1概述

    700V CoolMOS™ P7 Power Transistor IPAN70R600P7S

    产品简介


    700V CoolMOS™ P7 Power Transistor IPAN70R600P7S 是一款由 Infineon Technologies 设计的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用超级结(Super Junction)技术制造。CoolMOS™ 技术为高电压功率 MOSFET 的革命性创新,特别适用于消费类市场的成本敏感型应用,如充电器、适配器、照明系统等。
    主要功能:
    - 极低损耗:通过非常低的 FOM (RDS(on) Qg 和 RDS(on) Eoss) 来实现。
    - 出色的热性能。
    - 集成 ESD 保护二极管。
    - 低开关损耗(Eoss)。
    应用领域:
    - 推荐用于 Flyback 拓扑,广泛应用于充电器、适配器、照明装置等领域。

    技术参数


    以下是关键性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 700 | V |
    | 栅源阈值电压 V(GS)th | 2.50 | V |
    | 最大漏源导通电阻 RDS(on) | 0.60 | Ω |
    | 栅电荷 Qg | 10.5 | nC |
    | 脉冲漏电流 ID,pulse | 20.5 | A |
    | 输出电容 Coss | 7 | pF |
    | 反向恢复时间 trr | 190 | ns |
    其他详细技术参数请参见下图或完整数据表。

    产品特点和优势


    - 低成本技术:CoolMOS™ P7 提供了极具竞争力的价格性能比。
    - 出色的热性能:有助于降低工作温度,延长使用寿命。
    - 高 ESD 鲁棒性:集成的 ESD 保护二极管增强了产品的可靠性。
    - 高效能:允许更高的开关频率,提高效率。
    - 高功率密度设计:支持更紧凑的设计,符合小型化趋势。

    应用案例和使用建议


    - 充电器和适配器:700V CoolMOS™ P7 在 Flyback 拓扑中表现出色,适用于多种充电器和适配器。
    - 照明系统:该产品在高电压应用中的稳定性和效率使其成为照明系统的理想选择。
    使用建议:
    - 为了更好地并联 MOSFET,建议在栅极上使用铁氧体磁珠或者单独使用推挽电路。
    - 确保正确的栅极驱动电路设计以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品适用于与 Flyback 拓扑相关的各类应用,与同类产品具有良好的兼容性。厂商提供详细的测试电路和指南,确保客户能够充分利用产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 在高温下的性能表现如何?
    - 解答:查阅电气特性和热特性部分的数据,可以看到在 150°C 下的额定参数,确保设备在高温环境下正常工作。

    - 问题:如何提高系统的效率?
    - 解答:通过优化驱动电路,降低开关损耗,提高整体系统的效率。推荐使用更低的 RDS(on) 产品,结合良好的布局设计来减少寄生电容的影响。

    总结和推荐


    700V CoolMOS™ P7 Power Transistor IPAN70R600P7S 以其低损耗、高效率和高可靠性成为充电器、适配器和照明系统的理想选择。其出色的性价比、易用性和广泛的应用范围使得该产品在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
    如果您对本产品有任何疑问或需要更多技术支持,请联系您的 Infineon 技术支持团队。

IPAN70R600P7SXKSA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF@400V
Id-连续漏极电流 8.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 1.8A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
栅极电荷 10.5nC@ 10 V
最大功率耗散 24.9W(Tc)
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
通道数量 1
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPAN70R600P7SXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPAN70R600P7SXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R600P7SXKSA1 IPAN70R600P7SXKSA1数据手册

IPAN70R600P7SXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2875 ¥ 2.4093
600+ $ 0.285 ¥ 2.3883
1800+ $ 0.2813 ¥ 2.3569
4650+ $ 0.2675 ¥ 2.2417
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