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IPG20N06S4L11ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS管, Vds=60 V, 20 A, PG-TDSON封装, 表面贴装
供应商型号: 3703512
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S4L11ATMA2

IPG20N06S4L11ATMA2概述

    IPG20N06S4L-11 OptiMOS™-T2 Power-Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPG20N06S4L-11 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS™-T2系列双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。这款电子元器件主要用于电力转换和驱动控制领域,适用于各种需要高功率处理能力的应用场景。产品通过AEC Q101认证,适用于汽车电子等对可靠性要求极高的场合。

    2. 技术参数


    以下是IPG20N06S4L-11的主要技术参数:
    - 连续漏极电流(单通道): 在T C=25°C和V GS=10V条件下,I D为20A;在T C=100°C和V GS=10V条件下,I D为20A。
    - 脉冲漏极电流(单通道): I D,pulse 为80A。
    - 雪崩能量(单脉冲): 在I D=10A时,EAS为165mJ。
    - 雪崩电流(单脉冲): I AS为15A。
    - 栅源电压: V GS为±16V。
    - 功率耗散(单通道): 在T C=25°C条件下,Ptot为65W。
    - 热阻抗(结-壳): R thJC为2.3K/W。
    - 零栅源电压漏极电流: 在V DS=60V、V GS=0V、T j=25°C条件下,I DSS范围为0.01到1μA;在V DS=60V、V GS=0V、T j=125°C条件下,I DSS范围为5到100μA。
    - 静态特性: 在V DS=60V、V GS=0V条件下,V(BR)DSS为60V;在V DS=V GS、I D=28μA条件下,V GS(th)为1.2到2.2V;在V DS=60V、V GS=0V条件下,I DSS为0.01到1μA。
    - 动态特性: 输入电容(C iss)为3090到4020pF;输出电容(C oss)为720到940pF;反向转移电容(C rss)为34到68pF。

    3. 产品特点和优势


    - 增强型设计: 双N沟道逻辑电平增强模式设计,便于直接驱动,减少电路复杂度。
    - AEC Q101认证: 适用于汽车电子等领域,确保高可靠性和稳定性。
    - 绿色产品: 符合RoHS标准,环保友好。
    - 强过载能力: 经受住单脉冲雪崩电流和能量的测试。
    - 高温耐受性: 最高工作温度可达175°C,适合恶劣环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IPG20N06S4L-11可用于电机驱动、电源转换、开关稳压器等领域。例如,在电机驱动系统中,它可以用于控制直流电动机的正反转,提高系统的效率和稳定性。使用时应注意散热设计,避免过热导致的损坏。
    使用建议:
    - 为了有效散热,可以使用较大的铜箔区域进行散热片连接。
    - 保持良好的接地和屏蔽设计,以减少电磁干扰。
    - 避免频繁的大电流冲击,以免损伤晶体管。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IPG20N06S4L-11可与其他同类芯片和系统轻松集成,满足多样化的应用需求。
    - 支持: Infineon提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和定期的产品更新。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 过热导致设备失效。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用散热片或其他有效的冷却方法。
    - 问题2: 高频驱动时出现噪音。
    - 解决方案: 检查并优化接地和屏蔽设计,减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    IPG20N06S4L-11是一款性能优异、适用范围广的电力MOSFET。其强大的过载能力和高可靠性使其成为汽车电子和其他严苛环境下的理想选择。鉴于其多功能性和高性价比,强烈推荐使用。

IPG20N06S4L11ATMA2参数

参数
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 11.2mΩ@ 17A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 28µA
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 65W
通道数量 1
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 53nC@ 10V
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.02nF@25V
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPG20N06S4L11ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S4L11ATMA2数据手册

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IPG20N06S4L11ATMA2封装设计

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